MJE350

Symbol Micros: TMJE350
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor PNP; 240; 20,8W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE340; TMJE350; KSE350;
Parametry
Moc strat: 20,8W
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 240
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: MJE350 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
459 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3200 1,4100 1,0800 0,9760 0,9290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: import Symbol producenta: MJE350G RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3200 1,4100 1,0800 0,9760 0,9290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 20,8W
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 240
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP