MJE350G ONS
Symbol Micros:
TMJE350g ONS
Obudowa: TO225 (=TO126-3)
Tranzystor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 20W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO225 (=TO126-3) |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 240 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 300V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE350G RoHS
Obudowa dokładna: TO225 (=TO126-3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7800 | 1,7500 | 1,3800 | 1,2500 | 1,2100 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE350G
Obudowa dokładna: TO225 (=TO126-3)
Magazyn zewnetrzny:
17268 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3587 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE350G
Obudowa dokładna: TO225 (=TO126-3)
Magazyn zewnetrzny:
1079 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3811 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-08-18
Ilość szt.: 500
| Moc strat: | 20W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO225 (=TO126-3) |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 240 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 300V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
KSE350 (=MJE350) TO-126 PNP
Tranzystor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE350STU;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
KSE350STU RoHS
Obudowa dokładna:
TO126iso
Stan magazynowy
1190 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 60+ | 300+ | 900+ |
| cena netto (PLN) | 2,5500 | 1,6200 | 1,2500 | 1,1400 | 1,1100 |
Sposób pakowania: 60/1920
Ilość (wielokrotność 1)
MJE350
Tranzystor PNP; 240; 20,8W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE340; TMJE350; KSE350;
Producent:
import
Symbol producenta:
MJE350G RoHS
Obudowa dokładna:
TO126
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
| cena netto (PLN) | 2,5100 | 1,5900 | 1,2500 | 1,1200 | 1,0900 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
MJE350G RoHS
Obudowa dokładna:
TO126
Stan magazynowy
125 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
| cena netto (PLN) | 2,5100 | 1,5900 | 1,2500 | 1,1200 | 1,0900 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
MJE350G RoHS
Obudowa dokładna:
TO126
Stan magazynowy
3200 szt.
| Ilość szt. | 2650+ |
| cena netto (PLN) | 1,0900 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
MJE350G RoHS
Obudowa dokładna:
TO126
Stan magazynowy
11350 szt.
| Ilość szt. | 950+ |
| cena netto (PLN) | 1,0900 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
MJE350G RoHS
Obudowa dokładna:
TO126
Stan magazynowy
4200 szt.
| Ilość szt. | 800+ |
| cena netto (PLN) | 1,0900 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
MJE350G JSMICRO
Tranzystor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
MJE350G RoHS
Obudowa dokładna:
TO126
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,7800 | 1,1700 | 0,8370 | 0,7320 | 0,6860 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)