MJE350G ONS

Symbol Micros: TMJE350g ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO225 (=TO126-3)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 20W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 240
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO225 (=TO126-3)
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE350G RoHS Obudowa dokładna: TO225 (=TO126-3) karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,2000 2,0100 1,5800 1,4400 1,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 20W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 240
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO225 (=TO126-3)
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta