MMBT2907A JSMICRO

Symbol Micros: TMMBT2907a JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: JSMICRO
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: MMBT2907A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3420 0,1320 0,0644 0,0512 0,0489
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: JSMICRO
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP