MMBT2907ALT1G

Symbol Micros: TMMBT2907alt1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT2907A-TP; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A RFG; MMBTA2907A-DIO;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT2907ALT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,4610 0,1840 0,0923 0,0738 0,0709
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT2907ALT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
577747 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0709
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT2907ALT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0709
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP