MMBT2907ALT1G
Symbol Micros:
TMMBT2907alt1
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT2907A-TP; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A RFG; MMBTA2907A-DIO;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2907ALT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 9000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4610 | 0,1840 | 0,0923 | 0,0738 | 0,0709 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2907ALT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
577747 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0709 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2907ALT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0709 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |