PTP80N06 TO-220 HT SEMI

Symbol Micros: TPTP80N06 HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP55NF06; IRFZ44ZPBF; IRF3205PBF; IRF 3205; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 110A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: HT SEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 110A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: HT SEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT