PTP80N06 TO-220 HT SEMI
Symbol Micros:
TPTP80N06 HTSEMI
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP55NF06; IRFZ44ZPBF; IRF3205PBF; IRF 3205; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 110A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | HT SEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 110A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | HT SEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |