Tranzystory (wyszukane: 9823)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PZT751T1G
Tranzystor PNP; 75; 800mW; 60V; 2A; 75MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 800mW | 75 | 75MHz | 2A | 60V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: PZT751T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 800mW | 75 | 75MHz | 2A | 60V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: PZT751T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 800mW | 75 | 75MHz | 2A | 60V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
PZTA42 smd
Tranzystor NPN; 40; 1,5W; 300V; 500mA; 50MHz; -65°C~150°C; Odpowiednik: PZTA42T1G; PZTA 42 H6327; PZTA42H6327XT; PZTA42-TP; PZTA42H6327XTSA1; PZTA 42 H6327 TR; PZTA42H6327TR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 1,5W | 40 | 50MHz | 500mA | 300V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: PZTA42T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
529000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 1,5W | 40 | 50MHz | 500mA | 300V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: PZTA42T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
563000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 1,5W | 40 | 50MHz | 500mA | 300V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
PZTA42
Tranzystor NPN; 40; 1,2W; 300V; 100mA; 50MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PZTA42,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | NXP | 1,2W | 40 | 50MHz | 100mA | 300V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PZTA42,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
59000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | NXP | 1,2W | 40 | 50MHz | 100mA | 300V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PZTA42,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | NXP | 1,2W | 40 | 50MHz | 100mA | 300V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
PZTA44,115
Tranzystor NPN; 200; 1,35W; 400V; 300mA; 20MHz; -65°C ~ 150°C; PZTA44-TP; PZTA44.115; PZTA44,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | NXP | 1,35W | 200 | 20MHz | 300mA | 400V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PZTA44,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
47000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | NXP | 1,35W | 200 | 20MHz | 300mA | 400V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PZTA44,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | NXP | 1,35W | 200 | 20MHz | 300mA | 400V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
PZTA92 smd
Tranzystor PNP; 40; 1,5W; 300V; 500mA; 50MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PZTA 92 E6433; PZTA 92 H6433; PZTA92E6433HTMA1; PZTA92H6433XT; PZTA92T1G; PZTA92,115; PZTA92.115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1960 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/2000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 1,5W | 40 | 50MHz | 500mA | 300V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PZTA92,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
94000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 1,5W | 40 | 50MHz | 500mA | 300V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PZTA92,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 1,5W | 40 | 50MHz | 500mA | 300V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PZTA92,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | 1,5W | 40 | 50MHz | 500mA | 300V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
TK1K2A60F,S4X(S
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 1,2Ohm; 6A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1,2Ohm | 6A | 35W | TO220iso | TOSHIBA | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
TK1K9A60F,S4X(S
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 1,9Ohm; 3,7A; 30W; -55°C ~ 150°C; TK1K9A60F,S4X(S
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1,9Ohm | 3,7A | 30W | TO220iso | TOSHIBA | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
RN1427
Tranzystor NPN; 90; 200mW; 50V; 800mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: RN1427TE85LF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
199 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SC-59 | TOSHIBA | 200mW | 90 | 300MHz | 800mA | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
TK3R1A04PL,S4X
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,8mOhm; 82A; 36W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
3,8mOhm | 82A | 36W | TO220iso | TOSHIBA | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
TK3R1E04PL,S1X
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,8mOhm; 100A; 87W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5/10 Ilość (wielokrotność 1) |
3,8mOhm | 100A | 87W | TO220 | TOSHIBA | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
RN1904FE
Tranzystor 2xNPN; 80; 100mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
99 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | TOSHIBA | 100mW | 80 | 250MHz | 100mA | 50V | 2xNPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
S8050 China
NPN 500mA 25V 300mW 150MHz ODPOWIEDNIK: MOSLEADER S8050-ML; KST8050S; S8050-L-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MIC Symbol Producenta: S8050 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S8050
Tranzystor NPN; 300mW; 25V; 500mA; 150MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
765 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | AnBon | 300mW | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
S8050 SOT23-3 BORN
Tranzystor NPN; 300mW; 25V; 500mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
590 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | BORN | 300mW | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
TN2106K1-G Microchip
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 280mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
5Ohm | 280mA | 360mW | SOT23-3 | MICROCHIP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
TN2130K1-G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
25Ohm | 85mA | 360mW | SOT23 | Supertex | 300V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
TN2510N8-G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Microchip Symbol Producenta: TN2510N8-G RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
15Ohm | 730mA | 1,6W | SOT89 | Supertex | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
S8550 China
Tranzystor PNP; 300mW; 25V; 500mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: S8550 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 300mW | 150MHz | 500mA | 25V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
TN5325K1-G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 8Ohm; 150mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Supertex Symbol Producenta: TN5325K1-G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
8Ohm | 150mA | 360mW | SOT23 | Supertex | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
TP0610K SOT23
P-MOSFET 185mA 60V 350mW 6Ω ODPOWIEDNIK: TP0610K-T1-E3; TP0610K-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: TP0610K-T1-E3 RoHS 6K. Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: TP0610K-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: TP0610K-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
11990 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
TP2510N8-G Microchip Tech
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 7Ohm; 480mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Microchip Symbol Producenta: TP2510N8-G RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
7Ohm | 480mA | 1,6W | SOT89 | MICROCHIP | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
S9012 China
PNP -500mA -25V 300mW 150MHz MOSLEADER S9012-ML; S9012-J-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MIC Symbol Producenta: S9012 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S9013 (J3)
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 25V; 500mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6360 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HOTTECH | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
S9014 China
Tranzystor NPN; 200mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; MOSLEADER S9014-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: S9014 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2880 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 200mW | 150MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
S9014
Tranzystor NPN; 200mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | AnBon | 200mW | 150MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
S9015 China
Tranzystor PNP; 1000; 200mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; MOSLEADER S9015-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2900 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HOTTECH | 200mW | 1000 | 150MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
S9018 China
NPN 50mA 15V 200mW 700MHz MOSLEADER S9018-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
MIC Symbol Producenta: S9018 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 4,7mOhm; 47A; 44W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TPH3R203NL,L1Q(M;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7mOhm | 47A | 44W | VDFN08 | TOSHIBA | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
TPH4R606NH,L1Q Toshiba
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 32A; 63W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
101 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
11mOhm | 32A | 63W | SOP08 | TOSHIBA | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
TPHR9003NL,L1Q Toshiba
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 1,4mOhm; 60A; 78W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
1,4mOhm | 60A | 78W | SOP08 | TOSHIBA | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |