Tranzystory (wyszukane: 9827)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC0906NSATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0906NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC0921NDI
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7mOhm; 40A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC0921NDIATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0921NDIATMA1 Obudowa dokładna: TISON8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7mOhm | 40A | 2,5W | TISON8 | Infineon Technologies | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0921NDIATMA1 Obudowa dokładna: TISON8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7mOhm | 40A | 2,5W | TISON8 | Infineon Technologies | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BC817-25-Q DIOTEC
BC817-25-Q
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC817-25-Q Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
AUIRFSL4010 INFINEON
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: AUIRFSL4010 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3099 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
AUIRG4PC40S-E INFINEON
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 160000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: AUIRG4PC40S-E Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
39600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 6.5A TO252-3 TrenchStop -40+175°C IKD03N60RFBTMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKD03N60RFATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2490 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MMBTRC105SS DIOTEC
Surface Mount Bias Resistor Transistors MMBTRC105SS-DIO
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBTRC105SS Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1274 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BC846SF
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC846SF Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
50000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BC337-40 DIOTEC
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC337-40BK; BC337-40BK-DIO; BC337-40-BULK;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC337-40BK Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
5304 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92 | DIOTEC | 625mW | 630 | 100MHz | 800mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
GT15J341 TOSHIBA
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine GT15J341,S4X(S
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: GT15J341,S4X(S Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BC847C DIOTEC
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC847C-DIO
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC847C Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1131000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC847C Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1430039 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 88W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP06N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
350 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BC847CW DIOTEC
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC847CW Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IKP08N65F5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP08N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
449 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 110W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP10N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IKP15N65F5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP15N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP15N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
570 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC009NE2LS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC009NE2LS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC009NE2LS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC010N04LSI
Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R BSC010N04LSIATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC010N04LSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,05mOhm | 27A | 2,5W | TDSON08 | INFINEON | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC010N04LSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,05mOhm | 27A | 2,5W | TDSON08 | INFINEON | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC010NE2LSIATMA1 Infineon
N-MOSFET 25V 38A BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC010NE2LSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1mOhm | 38A | 96W | TDSON08 | INFINEON | 25V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC011N03LS Infineon
N-MOSFET 30V 100A 1.1mΩ BSC011N03LSTATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC011N03LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC014N04LSI
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP Odpowiednik: BSC014N04LSIATMA1; BSC014N04LSI TR; BSC014N04LSITR;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC014N04LSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC014NE2LSI
N-MOSFET 100A 25V 74W 0.0014Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC014NE2LSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
BSC020N03MSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC020N03MSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC028N06NS
N-MOSFET 60V 100A BSC028N06NSATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC028N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC028N06NSTATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 60V 24A BSC028N06NSATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC028N06NSTATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC030N03LSGATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC030N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC030P03NS3G Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,6mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC030P03NS3GAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC030P03NS3GAUMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,6mOhm | 100A | 125W | TDSON08 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC031N06NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC031N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC031N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
9500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC032N04LS
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON BSC032N04LSATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC032N04LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC032NE2LS
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP BSC032NE2LSATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC032NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |