Tranzystory (wyszukane: 9827)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP20N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
372 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC047N08NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC047N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC0503NSIATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0503NSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC050N04LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC050N04LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC052N08NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 95A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC052N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC054N04NS G
N-MOSFET 81A 40V 57W 0.0054Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC054N04NSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
BSC057N08NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 11mOhm; 100A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC057N08NS3GATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC057N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11mOhm | 100A | 114W | TDSON08 | Infineon Technologies | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC057N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11mOhm | 100A | 114W | TDSON08 | Infineon Technologies | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC060N10NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11,5mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC060N10NS3GATMA1; BSC060N10NS3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC060N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11,5mOhm | 90A | 125W | TDSON08 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC060N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11,5mOhm | 90A | 125W | TDSON08 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC060P03NS3E
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,6mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC060P03NS3EGATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC060P03NS3EGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9,6mOhm | 100A | 83W | TDSON-8 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC066N06NS
N-MOSFET 64A 60V 46W 0.0066Ω BSC066N06NSATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC066N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,6mOhm | 64A | 46W | TDSON08 | INFINEON | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC067N06LS3 G
N-MOSFET 50A 60V 69W 0.0067Ω BSC067N06LS3GATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC067N06LS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC067N06LS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
55000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
BSC076N06NS3 G
N-MOSFET 50A 60V 69W 0.0076Ω BSC076N06NS3GATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC076N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
165000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,6mOhm | 75A | 69W | TDFN08 | INFINEON | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC076N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
305000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,6mOhm | 75A | 69W | TDFN08 | INFINEON | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC077N12NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC077N12NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IKP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP30N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
68 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC084P03NS3GATMA1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 14mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC084P03NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
14mOhm | 14,9A | 2,5W | TDSON08 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC0901NSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP BSC0901NS; SP000800248
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0901NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,9mOhm | 100A | 2,5W | TDSON08 | INFINEON | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC0901NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0901NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC0902NSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0902NSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC0902NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0902NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC0904NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0904NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC0910NDIATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 22A/36A 8-Pin TISON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0910NDIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC093N04LS G Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 13,7mOhm; 49A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC093N04LSGATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC093N04LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
44980 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,7mOhm | 49A | 35W | TDSON08 | Infineon Technologies | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC093N15NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC093N15NS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC093N15NS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
7200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSZ0506NSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin TSDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ0506NSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC0993NDATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0993NDATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC109N10NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC109N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IKP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
195 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BSC120N03LSG INFINEON
N-MOSFET 30V 12A BSC120N03LSGATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC120N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
170000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12mOhm | 12A | 2,5W | TDSON-8 | INFINEON | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC120N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12mOhm | 12A | 2,5W | TDSON-8 | INFINEON | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BSC123N08NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 24mOhm; 55A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC123N08NS3GATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC123N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
255000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
24mOhm | 55A | 66W | TDSON08 | Infineon Technologies | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC123N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
24mOhm | 55A | 66W | TDSON08 | Infineon Technologies | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
273 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
778 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |