Tranzystory (wyszukane: 9627)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCX71G SOT23
Tranzystor PNP; 220; 250mW; 45V; 200mA; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX71GE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCX71GE6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | CDIL | 250mW | 220 | 180MHz | 200mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
IRF200P222
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 6,6mOhm; 182A; 556W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRF200P223;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF200P223 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
674 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6,6mOhm | 182A | 556W | TO247 | INFINEON | 200V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
IRF2204PBF
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF2204PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
STGWA40M120DF3 STMicroelectronics
80A; 1200V; 468W; IGBT
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA40M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRF250P224
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 68A; 313W; TO247AC
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF250P224 Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
175 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BCX71KE6327HTSA1
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 BCX71KE6327HTSA1; BCX71KE6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCX71KE6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | INFINEON | 330mW | 630 | 250MHz | 1A | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
STGWA60H65DFB STMicroelectronics
60A; 650V; 375W; IGBT
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA60H65DFB Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRF2804S
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 300mW 0,002Ω IRF2804STRLPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF2804STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
870 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF2804STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
STGWA60V60DF STMicroelectronics
60A; 600V; IGBT
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA60V60DF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRF2907ZPBF
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF2907ZPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF2907ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2755 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRF2907ZSPBF International Rectifier
N-MOSFET 75V 75A 300W 4.5mΩ IRF2907ZSTRLPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF2907ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,5mOhm | 160A | 300W | D2PAK | International Rectifier | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IRF3415S
N-MOSFET HEXFET 150V 43A 200W 0,042Ω IRF3415STRLPBF IRF3415STRRPBF IRF3415SPBF-GURT
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3415STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3415STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
12800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
BD136-10
PNP 1A 45V 6.5W BD135-10; TBD136.10; BD136-10-CDI; BD136.10;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BD136.10 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
2125 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | |||||||||||||||||||||||||||
IRF3709ZS
N-MOSFET HEXFET 30V 90A 79W 0,009Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3709ZSTRRPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
BD137G
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD137G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BD137G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BD138-10
PNP 1A 60V 6,5W 50MHz BD137-10 BD138-10-CDI; BD138.10;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BD138.10 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50MHz | PNP | ||||||||||||||||||||||||||
IRF3808
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7mOhm; 140A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3808PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3808PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1430 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7mOhm | 140A | 330W | TO220 | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3808PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5054 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7mOhm | 140A | 330W | TO220 | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
IRF3808S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7mOhm; 106A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3808STRLPBF; IRF3808SPBF; IRF3808STRRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3808STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1280 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7mOhm | 106A | 200W | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3808STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
11200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7mOhm | 106A | 200W | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IRF40B207
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF40B207 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2990 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRF40R207
Trans MOSFET N-CH Si 90V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF40R207 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRF4104
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4104PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
937 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
STGY40NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260000mW 3-Pin(3+Tab) Max247
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGY40NC60VD Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
STGYA120M65DF2AG
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) Max247
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGYA120M65DF2AG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2880 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BD140-10
Tranzystor PNP; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-10; BD140-10-BP; BD140-10-CDI; TBD140.10; BD140.10;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BD140.10 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO126 | CDIL | 1,25W | 160 | 1,5A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
IRF630 iso
N-MOSFET 9A 200V 30W 0.35Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI630GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
IRF640
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF640PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2425 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
180mOhm | 18A | 125W | TO220 | VISHAY | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF640PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2117 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
180mOhm | 18A | 125W | TO220 | VISHAY | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
IRF640PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF640PBF-BE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRF644
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 280mOhm; 14A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF644PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF644PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
22400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 14A | 125W | TO220 | VISHAY | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF644PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6720 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 14A | 125W | TO220 | VISHAY | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
IKW40N65RH5XKSA1
INDUSTRY 14
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N65RH5XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRF6648
N-MOSFET 86A 60V 2.8W 0.007Ω IRF6648TRPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF6648TRPBF Obudowa dokładna: DirectFET |
Magazyn zewnetrzny:
9600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET |