Tranzystory (wyszukane: 9627)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB4615
N-MOSFET HEXFET 35A 150V 144W 0.039Ω IRFB4615PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4615PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
IRFB4620
N-MOSFET HEXFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB4620PBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1947 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
IRFB5615
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 39mOhm; 35A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB5615PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB5615PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
290 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
39mOhm | 35A | 144W | TO220 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB5615PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4001 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
39mOhm | 35A | 144W | TO220 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
IRFIB6N60A
N-MOSFET HEXFET 5.5A 600V 60W 0.750Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIB6N60APBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIB6N60APBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
BF550
Trans GP BJT PNP 40V 0.025A 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB BF550,215; BF550.215; BF550,235;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BF550,215 Obudowa dokładna: TO236AB |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO236AB | NXP | 250mW | 50 | 325MHz | 25mA | 40V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BF550,215 Obudowa dokładna: TO236AB |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO236AB | NXP | 250mW | 50 | 325MHz | 25mA | 40V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BF550,215 Obudowa dokładna: TO236AB |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO236AB | NXP | 250mW | 50 | 325MHz | 25mA | 40V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
IRFB7440 TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3mOhm; 172A; 143W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7440PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7440PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3mOhm | 172A | 143W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7440PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1260 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3mOhm | 172A | 143W | TO220AB | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
IRFB7540PBF
Single N-Channel 60 V 5.1 mOhm 88 nC HEXFETR Power Mosfet - TO-220-3
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7540PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
520 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRFB7546PBF
Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7546PBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7546PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRFB7730PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220A IRFB7730PBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7730PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7730PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7730PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1385 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BF722 smd
NPN 50mA 250V 1,5W 60MHz BF722,115
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BF722,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60MHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||
IRFB7734PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220A
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7734PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRFB7740PBF
Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7740PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BF771E
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 BF771E6327HTSA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BF771E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRFB9N60A
N-MOSFET 9.2A 600V 170W 0.75Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB9N60APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
950 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
BF821
Trans GP BJT PNP 300V 0.05A 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB BF821,215 BF821,235
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BF821,235 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BF821,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BF822 smd
NPN 50mA 300V 0,25W 60MHz BF822,215
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BF822,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60MHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-19
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||
IRFBC30APBF
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC30APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRFBC40A
N-MOSFET 6.2A 600V 125W 1.2Ω IRFBC40APBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
IRFBE30S
N-MOSFET 4.1A 800V 125W 3Ω IRFBE30STRLPBF IRFBE30SPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
4700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
IRFBF20S
N-MOSFET 1.7A 900V 3.1W 8Ω IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRRPBF IRFBF20SPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF20SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
IRFD320
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 490mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFD320PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFD320PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,8Ohm | 490mA | 1W | PDIP04HVMDIP | VISHAY | 400V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
BFN26E6327HTSA1
Tranzystor NPN; 30; 360mW; 300V; 200mA; 70MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFN26E6327HTSA1; BFN26 E6327; BFN26;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFN26E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 360mW | 30 | 70MHz | 200mA | 300V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFN26E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 360mW | 30 | 70MHz | 200mA | 300V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
BFN27 smd
Tranzystor PNP; 30; 360mW; 300V; 200mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFN27; BFN27E6327; BFN27E6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFN27E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
11300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 360mW | 30 | 100MHz | 200mA | 300V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
IRFH3707TRPBF International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 17,9mOhm; 12A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH3707TRPBF Obudowa dokładna: PQFN56 (5x6mm) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17,9mOhm | 12A | 2,8W | PQFN56 (5x6mm) | International Rectifier | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IRFH5006TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,1mOhm; 21A; 3,6W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFH5006TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH5006TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
4,1mOhm | 21A | 3,6W | PQFN08 (6x5mm) | INFINEON | 60V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
IRFH5020
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 55mOhm; 5,1A; 3,6W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFH5020TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH5020TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
55mOhm | 5,1A | 3,6W | PQFN08 (6x5mm) | INFINEON | 200V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1
Trans GP BJT NPN 12V 0.035A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP182WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT343 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRFH7440 PQFN5X6
85A 40V 104W N-MOSFET IRFH7440TR2PBF IRFH7440TRPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH7440TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,4mOhm | 159A | 104W | PQFN08 (6x5mm) | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BFP183E7764 Infineon
NPN 12V 8GHz 65mA 250mW
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP183E7764HTSA1 Obudowa dokładna: SOT143 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRFH7545
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,2mOhm; 85A; 83W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFH7545TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH7545TRPBF Obudowa dokładna: QFN-08 |
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5,2mOhm | 85A | 83W | QFN-08 | INFINEON | 60V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |