Tranzystory (wyszukane: 9590)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIA446DJ-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 150V 3.3A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA446DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA447DJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA447DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA456DJ-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA456DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA459EDJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA459EDJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA461DJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 20V 8.3A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA461DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA461DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA461DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3662 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA469DJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 30 V (D-S)
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA469DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA469DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA485DJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 150V
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA485DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA517DJ-T1-GE3
Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A/4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA517DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA519EDJ-T1-GE3
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA519EDJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA519EDJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA527DJ-T1-GE3
Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA527DJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA537EDJ-T1-GE3
Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA537EDJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA537EDJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA817EDJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA817EDJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA910EDJ-T1-GE3
Tranzystor 2xN-MOSFET; 12V; 8V; 42mOhm; 4,5A; 7,8W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA910EDJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
42mOhm | 4,5A | 7,8W | SC70-6 | VISHAY | 12V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||
SIA918EDJ-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA918EDJ-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIA938DJT-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIA938DJT-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIB4316EDK-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIB4317EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIB4317EDK-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIDR170DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIDR170DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MPSA29
darl. NPN 500mA 80V 625mW 200MHz MPSA29-AP MPSA29-D26Z
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MPSA29 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
57478 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
200MHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||
SIDR402EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIDR402EP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIDR5102EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIDR5102EP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIDR5102EP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIDR570EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIDR570EP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIDR578EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIDR578EP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIDR608EP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIDR626EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIDR626EP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIDR626LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIDR626LDP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIDR668DP VISHAY
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SIDR668DP-T1-GE3
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIDR668DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IRLI640G
N-MOSFET 200V 9.9A 40W 0.18Ω IRLI640GPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLI640GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
550 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220iso | VISHAY | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | THT | |||||||||||||||||||||||
SIHA125N60EF-GE3
FET N-CHANNEL 600V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHA125N60EF-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHB11N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHB11N80AE-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |