Tranzystory (wyszukane: 9590)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHB17N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHB17N80AE-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHB22N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHB22N65E-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHB6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V D2PAK TO-263 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHB6N80E-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MSB92WT1G
TRANS PNP 300V 0.5A SOT323 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MSB92WT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHG17N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-247AC, Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHG17N80AE-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHG24N80AEF-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SiHH070N60EF VISHAY
N-Channel 600 V 36A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHH070N60EF-T1GE3 Obudowa dokładna: PowerSO08 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHH250N60EF-T1GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHK055N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK055N60E-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK055N60EF-T1GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK065N60E-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK075N60E-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHK075N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK075N60EF-T1GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHK105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK105N60EF-T1GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHK185N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK185N60E-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MUN2212T1G ONSemiconductors
NPN 50V 100mA 246mW
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2212T1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHLR120-GE3
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHLR120TR-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MUN2213T1G ONSemicondutors
NPN 50V 100mA 246mW MUN2213T1G
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2213T1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2213T1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
114000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHP065N60E-GE3
Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 650V 25A 250W TO220AB VISHAY SIHP065N60E-GE3 Tranzystory z kanałem N THT
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHP065N60E-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHP065N60E-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MUN2214T1G
NPN Digi Transistor, 100mA 50 V 10 kOhm, Ratio Of 0.21, 3-Pin SC-59 MUN2214T3G
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2214T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MUN2215T1G ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2215T1G Obudowa dokładna: SC59 |
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2215T1G Obudowa dokładna: SC59 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHP11N80AE-GE3
MOSFET E SERIES TO-220AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHP11N80AE-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHP12N60E-E3 Vishay
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 380mOhm; 12A; 147W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SIHP12N60E-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHP12N60E-GE3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
380mOhm | 12A | 147W | TO220 | VISHAY | 600V | MOSFET | 30V | -55°C ~ 150°C | 10V | THT | |||||||||||||||||
MUN2235T1G ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2235T1G Obudowa dokładna: SC59 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIHP22N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SiHP22N60E-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2550 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MUN5111T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5111T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5111T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MUN5111DW1T1G ONSemiconductor
Tranzystor 2xPNP; 60; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5111DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | ON SEMICONDUCTOR | 385mW | 60 | 100mA | 50V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5111DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | ON SEMICONDUCTOR | 385mW | 60 | 100mA | 50V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5111DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | ON SEMICONDUCTOR | 385mW | 60 | 100mA | 50V | 2xPNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
SIHS36N50D-E3
Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 500V 23A 446W SUPER247 VISHAY SIHS36N50D-E3 Tranzystory z kanałem N THT
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHS36N50D-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MUN5113DW1T1G ONSemiconductor
2PNP 100mA 50V 250mW
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5113DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
MUN5114T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5114T1G Obudowa dokładna: SC70-3 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |