Tranzystory (wyszukane: 9590)

1    235  236  237  238  239  240  241  242  243    320
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalny prąd kolektora
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
SIHB17N80AE-GE3 E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHB17N80AE-GE3 || SIHB17N80AE-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHB17N80AE-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,2101
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHB22N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix N-CHANNEL 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHB22N65E-T1-GE3 || SIHB22N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHB22N65E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,9464
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHB6N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V D2PAK TO-263 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHB6N80E-GE3 || SIHB6N80E-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHB6N80E-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4486
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MSB92WT1G TRANS PNP 300V 0.5A SOT323 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
MSB92WT1G || MSB92WT1G  
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MSB92WT1G
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1558
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHG17N80AE-GE3 E SERIES POWER MOSFET TO-247AC, Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHG17N80AE-GE3 || SIHG17N80AE-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHG17N80AE-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,2576
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHG24N80AEF-GE3 || SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHG24N80AEF-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,0660
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SiHH070N60EF VISHAY N-Channel 600 V 36A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount
SIHH070N60EF-T1GE3 || SiHH070N60EF VISHAY PowerSO08
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHH070N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
PowerSO08
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 18,7808
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHH250N60EF-T1GE3 || SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHH250N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,8581
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK055N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK055N60E-T1-GE3 || SIHK055N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK055N60E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 19,4021
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK055N60EF-T1GE3 || SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK055N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,8626
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK065N60E-T1-GE3 || SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK065N60E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,4878
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK075N60E-T1-GE3 || SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK075N60E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,3377
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK075N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK075N60EF-T1GE3 || SIHK075N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK075N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 14,4102
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK105N60EF-T1GE3 || SIHK105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK105N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,1314
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK185N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK185N60E-T1-GE3 || SIHK185N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK185N60E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,0489
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MUN2212T1G ONSemiconductors NPN 50V 100mA 246mW
MUN2212T1G || MUN2212T1G ONSemiconductors SOT23-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN2212T1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0735
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHLR120-GE3 LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHLR120TR-GE3 || SIHLR120-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHLR120TR-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0848
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MUN2213T1G ONSemicondutors NPN 50V 100mA 246mW MUN2213T1G
MUN2213T1G || MUN2213T1G ONSemicondutors SOT23-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN2213T1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0882
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN2213T1G
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
114000 szt.
Ilość szt. 33000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0465
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHP065N60E-GE3 Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 650V 25A 250W TO220AB VISHAY SIHP065N60E-GE3 Tranzystory z kanałem N THT
SIHP065N60E-GE3 || SIHP065N60E-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP065N60E-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,2087
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP065N60E-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
150 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,6505
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MUN2214T1G NPN Digi Transistor, 100mA 50 V 10 kOhm, Ratio Of 0.21, 3-Pin SC-59 MUN2214T3G
MUN2214T1G || MUN2214T1G SC-59
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN2214T1G
Obudowa dokładna:
SC-59
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0735
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MUN2215T1G ON Semiconductor Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
MUN2215T1G || MUN2215T1G ON Semiconductor SC59
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN2215T1G
Obudowa dokładna:
SC59
 
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt.
Ilość szt. 33000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0465
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN2215T1G
Obudowa dokładna:
SC59
 
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0916
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHP11N80AE-GE3 MOSFET E SERIES TO-220AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHP11N80AE-GE3 || SIHP11N80AE-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP11N80AE-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9993
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHP12N60E-E3 Vishay Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 380mOhm; 12A; 147W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SIHP12N60E-GE3;
SIHP12N60E-GE3 || SIHP12N60E-E3 Vishay TO220
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP12N60E-GE3
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
700 szt.
Ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7395
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
380mOhm 12A 147W TO220 VISHAY 600V MOSFET 30V -55°C ~ 150°C 10V THT
MUN2235T1G ON Semiconductor Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
MUN2235T1G || MUN2235T1G ON Semiconductor SC59
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN2235T1G
Obudowa dokładna:
SC59
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0716
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHP22N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SiHP22N60E-GE3 || SIHP22N60E-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SiHP22N60E-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2550 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,1844
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MUN5111T1G Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70
MUN5111T1G || MUN5111T1G SC70-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5111T1G
Obudowa dokładna:
SC70-3
 
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0686
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5111T1G
Obudowa dokładna:
SC70-3
 
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MUN5111DW1T1G ONSemiconductor Tranzystor 2xPNP; 60; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
MUN5111DW1T1G || MUN5111DW1T1G ONSemiconductor SOT363
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5111DW1T1G
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1261
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT363 ON SEMICONDUCTOR 385mW 60 100mA 50V 2xPNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5111DW1T1G
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1274
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT363 ON SEMICONDUCTOR 385mW 60 100mA 50V 2xPNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5111DW1T1G
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1327
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT363 ON SEMICONDUCTOR 385mW 60 100mA 50V 2xPNP -55°C ~ 150°C
SIHS36N50D-E3 Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 500V 23A 446W SUPER247 VISHAY SIHS36N50D-E3 Tranzystory z kanałem N THT
SIHS36N50D-GE3 || SIHS36N50D-E3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHS36N50D-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,3881
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MUN5113DW1T1G ONSemiconductor 2PNP 100mA 50V 250mW
MUN5113DW1T1G || MUN5113DW1T1G ONSemiconductor SOT363
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5113DW1T1G
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1278
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MUN5114T1G Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70
MUN5114T1G || MUN5114T1G SC70-3 t/r
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MUN5114T1G
Obudowa dokładna:
SC70-3 t/r
 
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0686
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1    235  236  237  238  239  240  241  242  243    320