Tranzystory (wyszukane: 9589)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SBC857CLT1G
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SBC857CLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SBC857CLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
183000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SBCP53-16T1G
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SBCP53-16T1G Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SBCP53-16T1G Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SBCP56-10T1G
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SBCP56-10T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TPN7R506NH
Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN7R506NH,L1Q(M
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: TPN7R506NH,L1Q(M Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
65000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SBCP56-16T1G
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 SBCP56-16T3G
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SBCP56-16T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SBCP56-16T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
22000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SBCP56-16T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
287000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TQM033NB04CR RLG
40V, 121A, SINGLE N-CHANNEL POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TQM033NB04CR RLG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SCT3022ALGC11
SiC-N-Ch 650V 93A 339W 0,0286R TO247 SCT3022ALGC11 : Rohm
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: SCT3022ALGC11 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SCT3022KLGC11
SiC-N-Ch 1200V 95A 427W 0,0286R TO247 SCT3022KLGC11 : Rohm
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: SCT3022KLGC11 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SCT3120ALGC11
SiC-N-Ch 650V 21A 103W 0,156R TO247 SCT3120ALGC11 : Rohm
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: SCT3120ALGC11 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
132 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TSM110NB04DCR RLG
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM110NB04DCR RLG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TSM150NB04DCR RLG
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM150NB04DCR RLG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TSM220NB06CR RLG
N-Ch 60V 35A 68W 0,022R PDFN56 TSM220NB06CR ; TSM220NB06CR RLG ; TSM220NB06CRRLG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM220NB06CR RLG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2475 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TSM250NB06DCR RLG
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM250NB06DCR RLG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2475 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TSM2N7002AKCU RFG Taiwan Semiconductor Corporation
60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2N7002AKCU RFG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2N7002AKCU RFG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TSM2N7002AKCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2N7002AKCX RFG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
18100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2N7002AKCX RFG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TSM2N7002AKDCU6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation
60V, 0.22A, DUAL N-CHANNEL POWER Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2N7002AKDCU6 RFG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2N7002AKDCU6 RFG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIZ998DT VISHAY
Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R SIZ998DT-T1-GE3
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIZ998DT-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TSM300NB06DCR RLG
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM300NB06DCR RLG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
TSM650P02CX
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 TSM650P02CX RFG ; Zamiennik za wycofany z produkcji TSM2301ACX RFG; TSM2301CX RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM650P02CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
16400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM650P02CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
DGTD120T25S1PT
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DGTD120T25S1PT Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 450 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
UJ3C120080K3S
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET ; SiC ; unipolarny ; kaskodowy ; 1,2kV
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: UJ3C120080K3S Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMBTA92E6327 INFINEON
Tranzystor PNP; 40; 360mW; 300V; 500mA; 50MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SMBTA92E6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SMBTA92E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 360mW | 40 | 50MHz | 500mA | 300V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SMBTA92E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 360mW | 40 | 50MHz | 500mA | 300V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SMBTA92E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 360mW | 40 | 50MHz | 500mA | 300V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
SMMBF4393LT1G
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBF4393LT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMMBFJ175LT1G
JFET Chopper P-Channel - Depletion
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBFJ175LT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMMBFJ310LT1G ON Semiconductor
Trans RF MOSFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R SMMBFJ310LT3G
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBFJ310LT3G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R SMMBT2222ALT3G
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBT2222ALT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBT2222ALT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBT2222ALT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMMBT2222AWT1G ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBT2222AWT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBT2222AWT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
UMZ1NTR / UMZ1NT1G
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 200mA 114MHz, 142MHz 250mW UMZ1NFHATR
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: UMZ1NT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: UMZ1NT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMMBT2907ALT1G ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R SMMBT2907ALT3G
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBT2907ALT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMMBT3904LT1G ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R SMMBT3904LT3G
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBT3904LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBT3904LT3G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
80000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMMBT3904LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
255000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |