Strona główna / Tranzystory (Wyświetlanie: 9631-9660 z 9647 elementów)

Tranzystory (wyszukane: 9647)

Produkt	Koszyk	Obudowa	Producent	Moc strat	Współczynnik wzmocnienia prądowego	Częstotliwość graniczna	Ładunek bramki	Maksymalna moc rozpraszana	Maksymalny prąd kolektora	Maksymalne napięcie kolektor-emiter	Maksymalny prąd kolektora	Maksymalna prąd kolektora w impulsie	Napięcie przewodzenia (Vgeth)	Typ tranzystora	Temperatura pracy (zakres)	Montaż	Napięcie kolektor-emiter	Napięcie bramka-emiter
YFW4N65AD TO252 YFW High Voltage MOSFET LGE4N65D; YFW4N65AD; BXP4N65D; Symbol Micros: TYFW4N65AD YFW info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO252
TO252	Pozycja dostępna na zamówienie
YFW4N65AF TO220F YFW High Voltage MOSFET YFW4N65AF; LGE4N65F; BXP4N65F; Symbol Micros: TYFW4N65AF YFW info Dodaj do ulubionych
TO220F
TO220F	Pozycja dostępna na zamówienie
YFW4N65AMJ TO-251S(3.5mm) YFW Trans 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; 4A; 650V; <2.8Ohm ODPOWIEDNIK: BXP4N65U; Symbol Micros: TYFW4N65AMJ YFW info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO251S (IPAK)
TO251S (IPAK)	Pozycja dostępna na zamówienie
YFW7N65AF TO-220F YFW TO-220F MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: BXP7N65CF; Symbol Micros: TYFW7N65AF YFW info Dodaj do ulubionych
TO220F
TO220F	Pozycja dostępna na zamówienie
YFW7N65AT TO-220AB YFW TO-220AB MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: BXP7N65P; Symbol Micros: TYFW7N65AT YFW info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO220
TO220	Pozycja dostępna na zamówienie
ZTX458 NPN 0.3A 400V 1W 50MHz Symbol Micros: TZTX458 info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO92						50MHz								NPN
TO92	Pozycja dostępna na zamówienie
ZXTN25020DFH Diodes NPN 20V 4.5A 1.25W ZXTN25020DFHTA Symbol Micros: TZXTN25020dfh info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SOT23-3
SOT23-3	Pozycja dostępna na zamówienie
ZXTP25020CFHTA PNP 4A 20V 1.25W 285MHz Symbol Micros: TZXTP25020cfh info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SOT23						285MHz								PNP
SOT23	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 338W Symbol Micros: TBGH75N65ZF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N65ZF1		TO247-4	BASiC SEMICONDUCTOR				444nC	338W			75A	300A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH75N65ZF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 1,2kV; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 568W Symbol Micros: TBGH75N120HF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N120HF1		TO247-3	BASiC SEMICONDUCTOR				398nC	568W			75A	200A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	1200V	20V
Rys.TBGH75N120HF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W Symbol Micros: TBGH50N65ZF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH50N65ZF1		TO247-4	BASiC SEMICONDUCTOR				308nC	297W			50A	200A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH50N65ZF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W Symbol Micros: TBGH50N65HS1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH50N65HS1		TO247-3	BASiC SEMICONDUCTOR				308nC	297W			50A	200A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH50N65HS1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W Symbol Micros: TBGH50N65HF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH50N65HF1		TO247-3	BASiC SEMICONDUCTOR				308nC	297W			50A	200A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH50N65HF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W Symbol Micros: TBGH75N65HF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N65HF1		TO247-4	BASiC SEMICONDUCTOR				444nC	405W			75A	300A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH75N65HF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W Symbol Micros: TBGH75N65HS1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N65HS1		TO247-3	BASiC SEMICONDUCTOR				444nC	405W			75A	300A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH75N65HS1	Pozycja dostępna na zamówienie
BC857B BORN Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP; Symbol Micros: TBC857b BORN info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SOT23
SOT23	Pozycja dostępna na zamówienie	SOT23	BORN	250mW	475	100MHz			100mA	45V				PNP	-55°C ~ 150°C

	Towar w drodze Planowany termin: 2025-09-30 Ilość szt.: 3000
TIP42CF TO-220F JSCJ Tranzystor PNP; Bipolarny; 75; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Symbol Micros: TTIP42cf TO220F CJ info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO220FP
TO220FP	Pozycja dostępna na zamówienie	TO220FP	CJ	65W	75	3MHz			6A	100V				PNP	-55°C ~ 150°C

	Towar w drodze Planowany termin: 2025-10-30 Ilość szt.: 100