Tranzystory (wyszukane: 9787)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
|
||||||||||||||||||||||||||
Rys.TBGH50N65ZF1
|
TO247-4 | BASiC SEMICONDUCTOR | 308nC | 297W | 50A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Rys.TBGH50N65HS1
|
TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 308nC | 297W | 50A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Rys.TBGH50N65HF1
|
TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 308nC | 297W | 50A | 200A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Rys.TBGH75N65HF1
|
TO247-4 | BASiC SEMICONDUCTOR | 444nC | 405W | 75A | 300A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Rys.TBGH75N65HS1
|
TO247-3 | BASiC SEMICONDUCTOR | 444nC | 405W | 75A | 300A | 4,2V ~ 5,8V | -40°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857B BORN
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
SOT23 | BORN | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-30
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
|
TIP42CF TO-220F JSCJ
Tranzystor PNP; Bipolarny; 75; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO220FP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
TO220FP | CJ | 65W | 75 | 3MHz | 6A | 100V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-30
Ilość szt.: 100
|
|||||||||||||||||||||||||
