Tranzystory polowe (wyszukane: 6300)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IMZA65R048M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R048M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZA65R048M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
960 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZA65R072M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R072M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZA65R072M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZA65R107M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R107M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZA65R107M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
960 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPA040N06NM5SXKSA1
TRENCH 40<-<100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA040N06NM5SXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPA093N06N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,3mOhm; 43A; 33W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA093N06N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
396 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,3mOhm | 43A | 33W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||
IPA50R190CE
N-MOSFET 24.8A 500V 24.8W 0.19Ω IPA50R190CEXKSA2
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R190CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
12460 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 190mOhm | 24,8A | 32W | THT | -40°C ~ 150°C | THT | INFINEON | |||||
IPA50R280CEXKSA1
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA50R280CEXKSA2
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R280CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
259 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 280mOhm | 13A | 30,4W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | INFINEON | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R280CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
2903 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 280mOhm | 13A | 30,4W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | INFINEON | |||||
IPA50R800CEXKSA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 1,87Ohm; 7,6A; 26,4W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: SP001217234;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R800CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 550V | 30V | 1,87Ohm | 7,6A | 26,4W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||
IPA60R099C7XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R099C7XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
171 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 99mOhm | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | INFINEON | ||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R099C7XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
220 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 99mOhm | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | INFINEON | ||||||
IPA60R099P6XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 232mOhm; 37,9A; 34W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R099P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
232 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 232mOhm | 37,9A | 34W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||
IPA60R160P6
N-MOSFET 23.8A 600V 34W 0.16Ω IPA60R160P6XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R160P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 160mOhm | 23,8A | 34W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | INFINEON | |||||
IPA60R230P6XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R230P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
480 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 230mOhm | 16,8A | 126W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | INFINEON | |||||
IPA60R600C6
N-MOSFET 7.3A 600V 28W 0.6Ω IPA60R600C6XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R600C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
287 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IPA60R650CEXKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R650CEXKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPA65R1K0CEXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 2,22Ohm; 7,2A; 68W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA65R1K0CEXKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 700V | 30V | 2,22Ohm | 7,2A | 68W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||
IPA80R650CEXKSA2
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA80R650CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
658 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 650mOhm | 8A | 33W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220iso | INFINEON | |||||
IPA90R800C3XKSA1
Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA90R800C3XKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 800mOhm | 6,9A | 33W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | INFINEON | |||||
IPAN60R125PFD7S
Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 16A | 32W IPAN60R125PFD7SXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPAN60R125PFD7SXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPAN60R210PFD7S
Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 10A | 25W IPAN60R210PFD7SXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPAN60R210PFD7SXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB014N06N
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB014N06NATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB014N06NATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB015N04NGATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB015N04NGATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB017N10N5 Infineon
N-MOSFET 100V 180A 375W 1.7mΩ IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5LF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB017N10N5ATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB019N06L3G Infineon
N-MOSFET 60V 120A 250W 1.9mΩ IPB019N06L3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB019N06L3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB019N08N3 G
N-MOSFET 180A 80V 300W 0.0019Ω IPB019N08N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB019N08N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 1,9mOhm | 100A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/7 | INFINEON | |||||
IPB024N10N5
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 IPB024N10N5ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB024N10N5ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB027N10N3G Infineon
N-MOSFET 100V 120A 300W 2.7mΩ IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GE8187ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB027N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB029N06N3GATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,2mOhm; 120A; 188W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB029N06N3GE8187ATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB029N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,2mOhm | 120A | 188W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon Technologies | |||||
IPB030N08N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB030N08N3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB030N08N3GATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB034N06N3G
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 IPB034N06N3G
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB034N06N3GATMA2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB037N06N3G INFINEON
N-MOSFET 60V 90A 188W 3.7mΩ IPB037N06N3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB037N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |