Transistoren (Ergebnisse: 10640)

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MJE350 PNP 500mA 300V 20W PNP 500mA 300V 20W
Micros Symbol: TMJE350 Infos
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MJE350 RoHS || MJE350G RoHS || MJE350 TO126
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ST Hersteller-Teilenummer:
MJE350 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO126
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5910 0,3560 0,2730 0,2445 0,2366
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50/200
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TO126 STMicroelectronics 20,8W 240 500mA 300V PNP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer:
MJE350G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO126  
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5910 0,3560 0,2730 0,2445 0,2366
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500
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TO126 STMicroelectronics 20,8W 240 500mA 300V PNP -65°C ~ 150°C
MJE350G JSMICRO PNP-Transistor; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU;
Micros Symbol: TMJE350 JSM Infos
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MJE350G RoHS || MJE350G JSMICRO TO126
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JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MJE350G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO126
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Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4225 0,2777 0,1987 0,1737 0,1628
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200
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TO126 JSMICRO 20W 240 500mA 300V PNP -65°C ~ 150°C
KSE350 (=MJE350) TO-126 PNP PNP 500mA 300V 20W PNP 500mA 300V 20W
Micros Symbol: TMJE350 kse350 Infos
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KSE350STU RoHS || KSE350 (=MJE350) TO-126 PNP TO126iso
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ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
KSE350STU RoHS Präzisionsgehäuse:
TO126iso  
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1130 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 60+ 300+ 900+
Preis netto (EUR) 0,5507 0,3489 0,2706 0,2468 0,2397
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60/1920
Menge (mehrere 1)
TO126iso ON SEMICONDUCTOR 20W 240 500mA 300V PNP -65°C ~ 150°C
MJE350G ONS Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225
Micros Symbol: TMJE350g ONS Infos
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MJE350G RoHS || MJE350G ONS TO225 (=TO126-3)
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ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MJE350G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO225 (=TO126-3)
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,7524 0,4747 0,3726 0,3394 0,3276
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500
Menge (mehrere 1)
TO225 (=TO126-3) ON SEMICONDUCTOR 20W 240 500mA 300V PNP -65°C ~ 150°C
MJE5742G NPN 8A 400V Darlington NPN 8A 400V Darlington
Micros Symbol: TMJE5742g Infos
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MJE5742G RoHS || MJE5742G TO220
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ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MJE5742G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 3+ 5+ 10+
Preis netto (EUR) 1,8395 1,5001 1,3577 1,2176 1,0823
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10
Menge (mehrere 1)
TO220 ON SEMICONDUCTOR 2W 400 8A 400V NPN -65°C ~ 150°C
MJF15031G Transistor : PNP ; Bipolar ; 150V ; 8A ; 36W ; TO220FP Transistor : PNP ; Bipolar ; 150V ; 8A ; 36W ; TO220FP
Micros Symbol: TMJF15031 Infos
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MJF15031G RoHS || MJF15031G TO220FP
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MJF15031G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,6235 1,2390 1,0254 0,8996 0,8545
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50
Menge (mehrere 1)
TO220FP ON SEMICONDUCTOR 2W 40 30MHz 8A 150V PNP -65°C ~ 150°C
MJF44H11G NPN 10A 80V 2W NPN 10A 80V 2W
Micros Symbol: TMJF44h11g Infos
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MJF44H11G RoHS || MJF44H11G TO220iso
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MJF44H11G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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140 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2865 0,9803 0,8118 0,7121 0,6765
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50
Menge (mehrere 1)
TO220iso ON SEMICONDUCTOR 2W 60 50MHz 10A 80V NPN -55°C ~ 150°C
SI1555DL SC70-6 N/P-MOSFET-Transistor; 20V/8V; 12V/8V; 630 mOhm/1,2 Ohm; 660mA/570mA; 270 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI1555dl Infos
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SI1555DL-T1-GE3 RoHS || SI1555DL SC70-6 SC70-6
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI1555DL-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC70-6
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2991 0,1590 0,1232 0,1137 0,1089
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100
Menge (mehrere 1)
1,2Ohm 660mA 270mW SC70-6 VISHAY 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
MJL1302AG PNP 15A 260V 200W 30MHz PNP 15A 260V 200W 30MHz
Micros Symbol: TMJL1302ag Infos
Datenblatt
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MJL1302AG RoHS || MJL1302AG TO264
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MJL1302AG RoHS Präzisionsgehäuse:
TO264
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16 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 50+ 125+
Preis netto (EUR) 5,1910 4,1347 3,6790 3,5746 3,4844
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25/125
Menge (mehrere 1)
TO264 ON SEMICONDUCTOR 200W 150 30MHz 15A 260V PNP -65°C ~ 150°C
MJL21194 NPN 16A 250V 200W 4MHz NPN 16A 250V 200W 4MHz
Micros Symbol: TMJL21194 Infos
Datenblatt
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MJL21194G RoHS || MJL21194 TO264
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MJL21194G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO264
Datenblatt
Auf Lager:
14 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 3,9971 3,4345 3,1948 3,0999 3,0737
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
TO264 ON SEMICONDUCTOR 200W 75 4MHz 16A 250V NPN -65°C ~ 150°C
KSI2300DS-T1-GE3 KUU N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2300ds KUU Infos
Datenblatt
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KSI2300DS-T1-GE3 RoHS || KSI2300DS-T1-GE3 KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
KSI2300DS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1987 0,0995 0,0593 0,0491 0,0441
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
55mOhm 6A SOT23 KUU 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI2301 JUXING P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2301 JUX Infos
Datenblatt
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2301 0.485MM RoHS || SI2301 JUXING SOT23
Hersteller:
JUXING Hersteller-Teilenummer:
2301 0.485MM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0850 0,0335 0,0195 0,0143 0,0131
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
142mOhm 2,3A 400mW SOT23 JUXING 20V P-MOSFET -50°C ~ 150°C 8V SMD
SL2301 SLKOR P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 142 mOhm; 2,8A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2301 SLK Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SL2301 RoHS || SL2301 SLKOR SOT23
Hersteller:
SLKOR Hersteller-Teilenummer:
SL2301 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1068 0,0489 0,0266 0,0199 0,0178
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
142mOhm 2,8A 400mW SOT23 SLKOR 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI2301 SOT23-3 BORN P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 140 mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2301 BORN Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2301 RoHS || SI2301 SOT23-3 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
SI2301 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,1958 0,0923 0,0515 0,0413 0,0356
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
140mOhm 3A 1,25W SOT23 BORN 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
SI2301 SOT23 HOTTECH P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 150 mOhm; 2,3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2301 c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2301 RoHS || SI2301 SOT23 HOTTECH SOT23
Hersteller:
HOTTECH Hersteller-Teilenummer:
SI2301 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
13200 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0883 0,0349 0,0203 0,0149 0,0136
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
150mOhm 2,3A 1,25W SOT23 HOTTECH 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
SI2301 3A KUU P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 140 mOhm; 3A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2301 KUU Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2301 3A RoHS || SI2301 3A KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
SI2301 3A RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
400 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1358 0,0646 0,0363 0,0271 0,0247
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Standard-Verpackung:
600
Menge (mehrere 1)
140mOhm 3A 1W SOT23 KUU 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI2301 YFW2301B;
Micros Symbol: TSI2301 YFW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
YFW2301B RoHS || SI2301 SOT23t/r
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
YFW2301B RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0968 0,0382 0,0223 0,0163 0,0149
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
64mOhm 3A 1W SOT23 YFW 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI2301BDS P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 150 mOhm; 2,2A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2301bds Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI2301BDS-T1-E3 RoHS L1.. || SI2301BDS SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2301BDS-T1-E3 RoHS L1.. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 650+
Preis netto (EUR) 0,2896 0,1847 0,1289 0,1118 0,1056
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Standard-Verpackung:
650
Menge (mehrere 1)
150mOhm 2,2A 700mW SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
KSI2301CDS-T1-GE3 SOT23 KUU P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 115 mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2301cds KUU Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
KSI2301CDS-T1-GE3 RoHS || KSI2301CDS-T1-GE3 SOT23 KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
KSI2301CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1711 0,0812 0,0458 0,0342 0,0311
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Standard-Verpackung:
600
Menge (mehrere 1)
115mOhm 3A 1,25W SOT23 KUU 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI2301S SOT23 BORN P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 210mOhm; 2,3A; 1W; -50 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2301s BORN Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2301S RoHS || SI2301S SOT23 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
SI2301S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1384 0,0553 0,0323 0,0268 0,0252
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
210mOhm 2,3A 1W SOT23 BORN 20V P-MOSFET -50°C ~ 150°C 10V SMD
AS2302 N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2302;
Micros Symbol: TSI2302 ANB Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AS2302 RoHS || AS2302 SOT23
Hersteller:
AnBon Hersteller-Teilenummer:
AS2302 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Preis netto (EUR) 0,1156 0,0460 0,0231 0,0185 0,0178
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Standard-Verpackung:
3000/9000
Menge (mehrere 10)
60mOhm 3,5A 1W SOT23 AnBon 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
SI2302 SOT23 BORN N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2302 BORN Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2302 RoHS || SI2302 SOT23 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
SI2302 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 996+ 4980+
Preis netto (EUR) 0,1671 0,0669 0,0389 0,0323 0,0304
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
996
Menge (mehrere 1)
59mOhm 3A 1,25W SOT23 BORN 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
SI2302 2.9A SOT23 KUU N-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2302 KUU Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2302 2.9A RoHS || SI2302 2.9A SOT23 KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
SI2302 2.9A RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1358 0,0646 0,0363 0,0271 0,0247
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
600
Menge (mehrere 1)
59mOhm 2,9A 1W SOT23 KUU 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
MMBT2222LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23
Micros Symbol: TMMBT2222 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBT2222LT1G RoHS || MMBT2222LT1G SOT23-3
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MMBT2222LT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5200 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0995 0,0392 0,0229 0,0167 0,0153
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR 300mW 300 250MHz 600mA 30V NPN -55°C ~ 150°C
Bipolarer Transistor MMBT2222 1B WEJ Transistor PNP; 200; 300mW; 150V; 600mA; 100MHz SOT23; WEJ;
Micros Symbol: TMMBT2222 1B WEJ Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBT2222 1B RoHS || Bipolarer Transistor MMBT2222 1B WEJ SOT23
Hersteller:
WEJ Hersteller-Teilenummer:
MMBT2222 1B RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0399 0,0146 0,0077 0,0057 0,0053
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Standard-Verpackung:
3000/15000
Menge (mehrere 10)
SOT23 WEJ 300mW 200 100MHz 600mA 150V PNP -55°C ~ 150°C
MMBT2222A China NPN 600mA 40V 225mW 300MHz NPN 600mA 40V 225mW 300MHz
Micros Symbol: TMMBT2222a c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
MMBT2222A RoHS || MMBT2222A China SOT23
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
MMBT2222A RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0707 0,0273 0,0133 0,0106 0,0101
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 LGE 300MHz 600mA 40V NPN -55°C ~ 150°C
SI2302CDS N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1;
Micros Symbol: TSI2302cds Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2302CDS-T1-GE3 RoHS || SI2302CDS SOT23-3
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2302CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
800 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3442 0,1901 0,1495 0,1384 0,1327
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
75mOhm 2,6A 710mW SOT23-3 VISHAY 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
KSI2302CDS-T1-GE3 KUU N-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; KSI2302CDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2302cds KUU Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
KSI2302CDS-T1-GE3 RoHS || KSI2302CDS-T1-GE3 KUU SOT23
Hersteller:
KUU Hersteller-Teilenummer:
KSI2302CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 40+ 250+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1555 0,0555 0,0349 0,0301 0,0282
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Standard-Verpackung:
250
Menge (mehrere 1)
59mOhm 2,9A 1W SOT23 KUU 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
MMBT2222A Transistor NPN; Bipolar; 300; 40V; 250MHz; 600mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Ersatz: MMBT2222A-DIO;
Micros Symbol: TMMBT2222a DIOTEC Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBT2222A RoHS || MMBT2222A SOT23-3
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
MMBT2222A RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5950 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0790 0,0304 0,0148 0,0118 0,0113
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 DIOTEC 250mW 300 250MHz 600mA 40V NPN -55°C ~ 150°C
MMBT2222A SOT23 NEXPERIA Transistor NPN; 300; 250mW; 40V; 600mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C Transistor NPN; 300; 250mW; 40V; 600mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C
Micros Symbol: TMMBT2222a NXP Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
MMBT2222A,215 RoHS || MMBT2222A SOT23 NEXPERIA SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
MMBT2222A,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1108 0,0508 0,0278 0,0207 0,0185
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 NXP 250mW 300 300MHz 600mA 40V NPN -65°C ~ 150°C
1    110  111  112  113  114  115  116  117  118    355