Transistoren (Ergebnisse: 10640)
| Produkt | Warenkorb |
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
Verlustleistung
|
Stromverstärkungsfaktor
|
Gate-Ladung
|
Grenzfrequenz
|
Maximale Verlustleistung
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Max. Kollektor-Strom [A]
|
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
|
Max. Kollektor-Strom im Impuls
|
Max. Kollektor-Strom
|
Vorwärtsspannung [Vgeth]
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Transistor-Typ
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Kollektor-Emitter-Spannung
|
Montage
|
Gate - Emitter Spannung
|
Transistorsysteme [J/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT2222A SOT23 NEXPERIA
Transistor NPN; 300; 250mW; 40V; 600mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C Transistor NPN; 300; 250mW; 40V; 600mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | NXP | 250mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
SI2304BDS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 105 mOhm; 2,6A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
150 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
105mOhm | 2,6A | 750mW | SOT23 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
10 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
105mOhm | 2,6A | 750mW | SOT23 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SI2304BDS
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 105 mOhm; 2,6A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
50 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
105mOhm | 2,6A | 750mW | SOT23 | VBsemi | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2222A-7-F
Transistor NPN; Bipolar; 75V; 40V; 300MHz; 600mA; 350mW; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 75V; 40V; 300MHz; 600mA; 350mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | DIODES | 350mW | 100 | 300MHz | 600mA | 75V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2222A-TP
Transistor GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 40V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
6000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000/15000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | MCC | 350mW | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
SI2305 SOT23-3 HOTTECH
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 250 mOhm; 3,2A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
0 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
250mOhm | 3,2A | 1,38W | SOT23-3 | HOTTECH | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 1A; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222ALT1G RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
2200 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 350mW | 300 | 300MHz | 1A | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
SI2305-TP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
90mOhm | 4,1A | 1,4W | SOT23-3 | MCC | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SI2305B-TP
Transistor-P-Channel-MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305B-TP-HF; SI2305B-13P;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
80mOhm | 4,2A | 1,4W | SOT23-3 | MCC | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU
Mosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
300 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
85mOhm | 4A | 1,1W | SOT23 | KUU | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SI2305DS
P-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 108mOhm; 3,5A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2305DS-T1-GE3; SI2305DS-T1-E3; SI2305CDS-T1; SI2305CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
141 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
108mOhm | 3,5A | 1,25W | SOT23 | VISHAY | 8V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2222AWT1G
NPN 600mA 40V 150mW 300MHz NPN 600mA 40V 150mW 300MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
4825 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 150mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2369LT1G
Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
1000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 120 | 200mA | 15V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
2250 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 120 | 200mA | 15V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
SI2307CDS Vishay
P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 138 mOhm; 3,5A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2307CDS-T1-GE3; SI2307CDS-T1-BE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
2370 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
138mOhm | 3,5A | 1,8W | SOT23 | VISHAY | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SI2308BDS
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 192 mOhm; 2,3A; 1,66 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
9000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
192mOhm | 2,3A | 1,66W | SOT23 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
690 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
192mOhm | 2,3A | 1,66W | SOT23 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G
NPN 100mA 60V 225mW -MHz NPN 100mA 60V 225mW -MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 800 | 100mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
SI2309CDS-T1-GE3
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,6A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
990 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1500 Menge (mehrere 1) |
450mOhm | 1,6A | 1,7W | SOT23 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2907A China
PNP -600mA -60V 225mW 200MHz PNP -600mA -60V 225mW 200MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: MMBT2907A RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT-23 | LGE | 300mW | 100 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2907A JSMICRO
PNP-Transistor; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | JSMICRO | 300mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2907A-TP
Transistor PNP; Bipolar; 60V; 6V; 200MHz; 600mA; 350mW; -55°C~150°C; MMBT2907A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
6000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | MCC | 350mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
SI2312CDS-T1-GE3 Vishay
N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 41mOhm; 6A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
74 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
41mOhm | 6A | 2,1W | SOT23 | VISHAY | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SI2315BDS-T1-E3 Vishay
P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 100 mOhm; 3A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
140 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
100mOhm | 3A | 750mW | SOT23 | VISHAY | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
SI2318DS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2318DS-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
90 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
58mOhm | 3A | 750mW | SOT23 | VISHAY | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G
Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
6000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000/9000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2907AT-7-F
Transistor GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-523 Transistor GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-523
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT523 | DIODES | 150mW | 300 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT2907AWT1G ON Semiconductor
PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
880 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 150mW | 340 | 200MHz | 600mA | 60V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
SI2323DS-T1-E3 Vishay
P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 68mOhm; 3,7A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2323DS-T1-GE3; SI2323DS-T1-BE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
500 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
68mOhm | 3,7A | 750mW | SOT23-3 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
12 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 180 Menge (mehrere 1) |
68mOhm | 3,7A | 750mW | SOT23-3 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT3904
NPN 200mA 40V 330mW 300MHz NPN 200mA 40V 330mW 300MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer: MMBT3904 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
910 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | 200mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT3904 DIOTEC
Transistor NPN; 300; 350mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Ersatz: MMBT3904 RF; MMBT3904 RFG; MMBT3904LT1G; MMBT3904-FAI; MMBT3904Q-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
18750 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000/12000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | DIOTEC | 350mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||