Transistoren (Ergebnisse: 10640)

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Max. Gate-Source Spannung
Kollektor-Emitter-Spannung
Montage
Gate - Emitter Spannung
Transistorsysteme [J/N]
SI2333-TP P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35 W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSI2333 Infos
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SI2333-TP RoHS || SI2333-TP SOT23-3
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Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer:
SI2333-TP RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2445 0,1234 0,0748 0,0593 0,0541
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3000
Menge (mehrere 1)
28mOhm 6A 350mW SOT23-3 Micro Comercial Components Corp. 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
SI2333 SOT23 BORN P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 59mOhm; 5.1A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2333 BORN Infos
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SI2333 RoHS || SI2333 SOT23 BORN SOT23
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BORN Hersteller-Teilenummer:
SI2333 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2243 0,1123 0,0669 0,0555 0,0498
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
59mOhm 5,1A 1,25W SOT23 BORN 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
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BORN Hersteller-Teilenummer:
SI2333 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 452+ 2260+
Preis netto (EUR) 0,2371 0,1201 0,0724 0,0579 0,0527
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452
Menge (mehrere 1)
59mOhm 5,1A 1,25W SOT23 BORN 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
MMBT3904 FAIRCHILD NPN 40V 0.2A NPN 40V 0.2A
Micros Symbol: TMMBT3904 FAI Infos
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MMBT3904 RoHS || MMBT3904 FAIRCHILD SOT23
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Fairchild Hersteller-Teilenummer:
MMBT3904 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
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2975 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0973 0,0382 0,0224 0,0164 0,0150
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3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 Fairchild 350mW 300 300MHz 200mA 40V NPN -55°C ~ 150°C
MMBT3904 GALAXY NPN-Transistor; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: MMBT3904,215; MMBT3904-7-F; MMBT3904-13-F; MMBT3904LT1G; MMBT3904LT3G; MMBT3904-TP; MMBT3904 RFG; MMBT3904_R1_00001;
Micros Symbol: TMMBT3904 GAL Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
MMBT3904 RoHS || MMBT3904 GALAXY SOT23
Hersteller:
GALAXY Hersteller-Teilenummer:
MMBT3904 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0468 0,0175 0,0094 0,0070 0,0065
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 GALAXY 250mW 300 300MHz 200mA 40V NPN -65°C ~ 150°C
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 150 mOhm; 6A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1;
Micros Symbol: TSI2333dds Infos
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SI2333DDS-T1-GE3 RoHS || SI2333DDS-T1-GE3 RoHS O4.. || SI2333DDS-T1-GE3 Vishay SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2333DDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4177 0,2305 0,1813 0,1678 0,1609
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
150mOhm 6A 1,7W SOT23 VISHAY 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2333DDS-T1-GE3 RoHS O4.. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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2700 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4177 0,2305 0,1813 0,1678 0,1609
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
150mOhm 6A 1,7W SOT23 VISHAY 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
                                                     
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Geplantes Datum: 2026-12-31
Anzahl der Stücke: 1
                                               
SI2333DS-T1-E3 P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 59mOhm; 4.1A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2333ds Infos
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SI2333DS-T1-E3 E3.. || SI2333DS-T1-E3 SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2333DS-T1-E3 E3.. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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141 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,9019 0,5697 0,4510 0,4106 0,3916
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
59mOhm 4,1A 750mW SOT23 VISHAY 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
MMBT3904-1AM SOT23 MDD Transistor NPN; Bipolar; 40V; 200mW; 6V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: MMBT3904-E;
Micros Symbol: TMMBT3904 MDD Infos
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MMBT3904 RoHS || MMBT3904-1AM SOT23 MDD SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer:
MMBT3904 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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6430 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
Preis netto (EUR) 0,0444 0,0164 0,0087 0,0064 0,0061
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 200mW 300 300MHz 200mA 40V NPN -55°C ~ 150°C
MMBT3904,215 NEXPERIA NPN 40V 0.2A AUTOMOTIVE NPN 40V 0.2A AUTOMOTIVE
Micros Symbol: TMMBT3904 NXP Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
MMBT3904,215 RoHS || MMBT3904,215 NEXPERIA SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
MMBT3904,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
990 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0624 0,0240 0,0117 0,0093 0,0089
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 NXP 250mW 300 300MHz 200mA 40V NPN -65°C ~ 150°C
SI2337DS-T1-GE3 P-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 303 mOhm; 2,2A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2337DS-T1-E3;
Micros Symbol: TSI2337ds Infos
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SI2337DS-T1-GE3 RoHS || SI2337DS-T1-GE3 SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2337DS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,9114 0,5720 0,4747 0,4225 0,3964
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
303mOhm 2,2A 2,5W SOT23 VISHAY 80V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
MMBT3904-7-F Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Micros Symbol: TMMBT3904-7-F Diodes Infos
Datenblatt
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MMBT3904-7-F RoHS || MMBT3904-7-F SOT23-3
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
MMBT3904-7-F RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
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Auf Lager:
640 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0985 0,0389 0,0227 0,0166 0,0152
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 DIODES 350mW 300 300MHz 200mA 40V NPN -55°C ~ 150°C
KSI2343CDS-T1-GE3 KUU P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 110mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2343cds KUU Infos
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KSI2343CDS-T1-GE3 RoHS || KSI2343CDS-T1-GE3 KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
KSI2343CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2077 0,1137 0,0745 0,0643 0,0593
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
110mOhm 4,1A 1,4W SOT23 KUU 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI2343DS P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 86mOhm; 3.1A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; SI2343DS-T1-GE3; SI2343DS-T1-BE3;
Micros Symbol: TSI2343ds Infos
Datenblatt
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SI2343DS-T1-E3 Pbf F3.. || SI2343DS SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2343DS-T1-E3 Pbf F3.. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
55 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6765 0,4249 0,3537 0,3133 0,2943
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
86mOhm 3,1A 750mW SOT23 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
MMBT3904LT1G ONS NPN 200mA 40V 330mW 300MHz NPN 200mA 40V 330mW 300MHz
Micros Symbol: TMMBT3904lt Infos
Datenblatt
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MMBT3904LT1G RoHS || MMBT3904LT1G ONS SOT23
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MMBT3904LT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
9980 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0852 0,0337 0,0196 0,0144 0,0131
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Standard-Verpackung:
3000/15000
Menge (mehrere 10)
SOT23 ON SEMICONDUCTOR 300mW 300 300MHz 200mA 40V NPN -55°C ~ 150°C
SI2374DS-T1-GE3 Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 41mOhm; 5,9A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TSI2374ds Infos
Datenblatt
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SI2374DS-T1-GE3 Pbf F5. || SI2374DS-T1-GE3 SOT23-3
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2374DS-T1-GE3 Pbf F5. Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8355 0,6219 0,4605 0,3869 0,3632
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
41mOhm 5,9A 1,7W SOT23-3 VISHAY 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
MMBT3904T FAIRCHILD NPN 40V 0.2A NPN 40V 0.2A
Micros Symbol: TMMBT3904t Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBT3904T RoHS || MMBT3904T FAIRCHILD SOT523
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer:
MMBT3904T RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT523  
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1320 0,0605 0,0330 0,0247 0,0220
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT523 Fairchild 250mW 300 300MHz 200mA 40V NPN -55°C ~ 150°C
MMBT3904TT1G NPN 200mA 40V 200mW 300MHz NPN 200mA 40V 200mW 300MHz
Micros Symbol: TMMBT3904tt Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBT3904TT1G RoHS || MMBT3904TT1G SOT416 =(SC-75-3)
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MMBT3904TT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT416 =(SC-75-3)
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0769 0,0297 0,0145 0,0115 0,0110
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT416 =(SC-75-3) ON SEMICONDUCTOR 300mW 300 300MHz 200mA 40V NPN -55°C ~ 150°C
MMBT3904WT1G ONS NPN 40V 0.2A AUTOMOTIVE NPN 40V 0.2A AUTOMOTIVE
Micros Symbol: TMMBT3904wt Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBT3904WT1G RoHS || MMBT3904WT1G ONS SOT323
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MMBT3904WT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1120 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0911 0,0358 0,0210 0,0153 0,0140
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT323 ON SEMICONDUCTOR 150mW 300 300MHz 200mA 40V NPN -55°C ~ 150°C
MMBT3906,215 Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 250mW Surface Mount TO-236AB Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 250mW Surface Mount TO-236AB
Micros Symbol: TMMBT3906 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBT3906 RoHS || MMBT3906,215 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
MMBT3906 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1738 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0916 0,0361 0,0211 0,0154 0,0141
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 NXP 250mW 300 250MHz 200mA 40V PNP -65°C ~ 150°C
MMBT3906 PNP 200mA 40V 300mW 250MHz PNP 200mA 40V 300mW 250MHz
Micros Symbol: TMMBT3906 c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBT3906 RoHS || MMBT3906 SOT23
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
MMBT3906 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0463 0,0173 0,0093 0,0069 0,0064
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 HOTTECH 200mW 300 300MHz 200mA 40V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
HOTTECH Hersteller-Teilenummer:
MMBT3906 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3450 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0463 0,0173 0,0093 0,0069 0,0064
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 HOTTECH 200mW 300 300MHz 200mA 40V PNP -55°C ~ 150°C
SI3400A-TP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 45mOhm; 5,8A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI3400A-TP Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI3400A-TP RoHS || SI3400A-TP SOT23-3
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer:
SI3400A-TP RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2700 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1923 0,0976 0,0591 0,0468 0,0427
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
45mOhm 5,8A 1,3W SOT23-3 Micro Comercial Components Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
MMBT3906 Oberflächenmontierte Si-Epi-Planar-Schalttransistoren MMBT3906-DIO;
Micros Symbol: TMMBT3906 DIOTEC Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBT3906 RoHS || MMBT3906 SOT23-3
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
MMBT3906 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0695 0,0268 0,0131 0,0104 0,0099
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 DIOTEC 100 250MHz 50nA 40V PNP -55°C ~ 150°C
SI3407-TP-HF P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 60mOhm; 4.1A; 1,3 W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSI3407-TP-HF Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI3407-TP RoHS || SI3407-TP-HF SOT23
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer:
SI3407-TP RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2143 0,1187 0,0788 0,0657 0,0612
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
60mOhm 4,1A 1,3W SOT23 MCC 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI3420A-TP N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 35mOhm; 6A; 1,25 W; -55°C~150°C; (ähnlich SI3420A-13P)
Micros Symbol: TSI3420A-TP Infos
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SI3420A-TP RoHS || SI3420A-TP SOT23
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer:
SI3420A-TP RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2991 0,1640 0,1075 0,0930 0,0857
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
35mOhm 6A 1,25W SOT23 MCC 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
MMBT3906T1G ONS PNP 200mA 40V 300mW 250MHz PNP 200mA 40V 300mW 250MHz
Micros Symbol: TMMBT3906lt Infos
Datenblatt
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MMBT3906LT1G RoHS || MMBT3906T1G ONS SOT23
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MMBT3906LT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
39988 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ 400+ 3000+ 6000+ 30000+
Preis netto (EUR) 0,0186 0,0052 0,0029 0,0026 0,0024
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Standard-Verpackung:
3000/30000
Menge (mehrere 10)
SOT23 ON SEMICONDUCTOR 300mW 300 250MHz 200mA 40V PNP -55°C ~ 150°C
SI3440DV-T1-GE3 N-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 400 mOhm; 1,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI3440dv Infos
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SI3440DV-T1-GE3 RoHS || SI3440DV-T1-GE3 TSOP06
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI3440DV-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
7 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5143 1,2058 1,0325 0,9281 0,8901
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
400mOhm 1,2A 1,14W TSOP06 VISHAY 150V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI3441BDV-T1-E3 Vishay P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 130 mOhm; 2,45A; 860 mW; -55 °C ~ 150 °C; obsolete
Micros Symbol: TSI3441bdv Infos
Datenblatt
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SI3441BDV-T1-E3 Pbf B1... || SI3441BDV-T1-E3 Vishay TSOP06
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI3441BDV-T1-E3 Pbf B1... Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3774 0,2468 0,1766 0,1545 0,1448
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
130mOhm 2,45A 860mW TSOP06 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
MMBT3906TT1G Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416
Micros Symbol: TMMBT3906tt1g Infos
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MMBT3906TT1G RoHS || MMBT3906TT1G SOT416 =(SC-75-3)
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MMBT3906TT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT416 =(SC-75-3)
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0779 0,0299 0,0146 0,0116 0,0111
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT416 =(SC-75-3) ON SEMICONDUCTOR 300mW 300 250MHz 200mA 40V PNP -65°C ~ 150°C
MMBT3906WT1G Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70
Micros Symbol: TMMBT3906wt1g Infos
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MMBT3906WT1G RoHS || MMBT3906WT1G SC70-3
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MMBT3906WT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SC70-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2990 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0847 0,0335 0,0195 0,0143 0,0130
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 150mW 300 250MHz 200mA 40V PNP -55°C ~ 150°C
MMBT4401 China NPN 600mA 40V 225mW 250MHz NPN 600mA 40V 225mW 250MHz
Micros Symbol: TMMBT4401 c Infos
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MMBT4401 RoHS || MMBT4401 China SOT23
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
MMBT4401 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
2800 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0679 0,0261 0,0127 0,0101 0,0097
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT-23 LGE 350mW 100 250MHz 600mA 40V NPN -55°C ~ 150°C
SI3459BDV-T1-E3 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 288 mOhm; 2,9A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI3459bdv Infos
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SI3459BDV-T1-GE3 RoHS AS.. || SI3459BDV-T1-E3 TSOP06
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI3459BDV-T1-GE3 RoHS AS.. Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r  
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8023 0,5079 0,4011 0,3655 0,3489
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
288mOhm 2,9A 3,3W TSOP06 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
1    112  113  114  115  116  117  118  119  120    355