Transistoren (Ergebnisse: 10640)

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Transistorsysteme [J/N]
SPD06N80C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 2,1 Ohm; 6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPD06N80C3ATMA1; SPD06N80C3BTMA1;
Micros Symbol: TSPD06n80c3 Infos
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SPD06N80C3ATMA1 RoHS || SPD06N80C3 TO252 (DPACK)
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SPD06N80C3ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,8902 3,2751 2,9046 2,7217 2,6101
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2,1Ohm 6A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SPD07N60C3 N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 1,46 Ohm; 7,3A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1; SPD07N60C3ATMA1-0;
Micros Symbol: TSPD07n60c3 Infos
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SPD07N60C3 RoHS || SPD07N60C3 TO252 (DPACK)
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SPD07N60C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
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1,46Ohm 7,3A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SPD09P06PL G P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 400 mOhm; 9,7A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD09P06PLGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD09p06pl Infos
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SPD09P06PLGBTMA1 RoHS || SPD09P06PL G TO252 (DPACK)
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SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
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400mOhm 9,7A 42W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
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SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
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400mOhm 9,7A 42W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SPD15P10PL G P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 15A; 128 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD15P10PLGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD15p10pl Infos
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SPD15P10PLGBTMA1 RoHS || SPD15P10PL G TO252 (DPACK)
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SPD15P10PLGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
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270mOhm 15A 128W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SPD18P06P G P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130 mOhm; 18,6A; 80W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD18P06PGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD18p06p Infos
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SPD18P06PG RoHS || SPD18P06P G TO252 (DPACK)
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SPD18P06PG RoHS Präzisionsgehäuse:
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,0426 0,7647 0,6127 0,5272 0,4964
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130mOhm 18,6A 80W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SPD30P06P G P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD30P06PGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD30p06p Infos
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SPD30P06PGBTMA1 RoHS || SPD30P06P G TO252 (DPACK)
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SPD30P06PGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2041 0,9191 0,7600 0,6674 0,6341
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75mOhm 30A 125W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SPD50P03L G P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12,5 mOhm; 50A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD50P03LGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD50p03l Infos
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SPD50P03LGBTMA1 RoHS || SPD50P03L G TO252 (DPACK)
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SPD50P03LGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 9+ 27+ 81+
Preis netto (EUR) 1,9332 1,5295 1,3134 1,1994 1,1376
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12,5mOhm 50A 150W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SPP04N80C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP04N80C3XKSA1;
Micros Symbol: TSPP04n80c3 Infos
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SPP04N80C3XKSA1 RoHS || SPP04N80C3 TO220
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SPP04N80C3XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3490 1,0307 0,8526 0,7481 0,7101
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3Ohm 4A 63W TO220 Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPP06N80C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 2,1 Ohm; 6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP06N80C3XKSA1;
Micros Symbol: TSPP06N80C3 Infos
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SPP06N80C3 RoHS || SPP06N80C3 TO220
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP06N80C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5532 1,1851 0,9809 0,8597 0,8170
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2,1Ohm 6A 83W TO220 Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPP08N80C3 N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,5 Ohm; 8A; 104W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP02N80C3XKSA1;
Micros Symbol: TSPP08N80C3 Infos
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SPP08N80C3 RoHS || SPP08N80C3 TO220
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP08N80C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,8382 1,5413 1,3704 1,2659 1,2255
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1,5Ohm 8A 104W TO220 Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPP11N80C3XKSA1 N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,05 Ohm; 11A; 156W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSPP11n80c3 Infos
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SPP11N80C3XKSA1 RoHS || SPP11N80C3XKSA1 TO220
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SPP11N80C3XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,7762 3,1967 2,8476 2,6220 2,5341
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1,05Ohm 11A 156W TO220 Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPP18P06P P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130 mOhm; 18,7A; 81,1 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPP18P06PH; SPP18P06PHXKSA1;
Micros Symbol: TSPP18p06p Infos
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SPP18P06PHXKSA1 RoHS || SPP18P06P TO220
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP18P06PHXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9429 0,6911 0,5557 0,4750 0,4489
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50
Menge (mehrere 1)
130mOhm 18,7A 81,1W TO220 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
SPP20N60S5 N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 430 mOhm; 20A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP20N60S5HKSA1; SPP20N60S5XKSA1;
Micros Symbol: TSPP20n60s5 Infos
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SPP20N60S5XKSA1 RoHS || SPP20N60S5 TO220
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP20N60S5XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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39 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
Preis netto (EUR) 7,5072 6,3720 5,6762 5,2154 5,1062
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50
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430mOhm 20A 208W TO220 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPP20N65C3XKSA1 N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 430 mOhm; 20,7A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP20N65C3HKSA1;
Micros Symbol: TSPP20n65c3 Infos
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SPP20N65C3XKSA1 RoHS || SPP20N65C3XKSA1 TO220
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP20N65C3XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,9733 3,3629 2,9972 2,7597 2,6671
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50
Menge (mehrere 1)
430mOhm 20,7A 208W TO220 Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPP24N60C3 N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 340 mOhm; 24,3A; 240 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP24N60C3XKSA1;
Micros Symbol: TSPP24n60c3 Infos
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SPP24N60C3 RoHS || SPP24N60C3 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP24N60C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,2584 2,9069 2,6956 2,5578 2,5056
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
340mOhm 24,3A 240W TO220 Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPP80P06PHXKSA1 P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 23mOhm; 80A; 340 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TSPP80p06ph Infos
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SPP80P06PHXKSA1 RoHS || SPP80P06PHXKSA1 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP80P06PHXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 4,1752 3,5339 3,1492 2,8998 2,8025
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
23mOhm 80A 340W TO220 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
SPW20N60S5 N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 430 mOhm; 20A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPW20N60S5FKSA1;
Micros Symbol: TSPW20n60s5 Infos
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SPW20N60S5FKSA1 RoHS || SPW20N60S5 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPW20N60S5FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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77 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 7,7115 6,5383 5,8210 5,4553 5,2463
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Standard-Verpackung:
30/90
Menge (mehrere 1)
430mOhm 20A 208W TO247 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPW32N50C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 560V; 20V; 270 mOhm; 32A; 284W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPW32N50C3FKSA1;
Micros Symbol: TSPW32n50c3 Infos
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SPW32N50C3 RoHS || SPW32N50C3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPW32N50C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247  
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
Preis netto (EUR) 8,2482 7,7234 7,3956 7,2769 7,1724
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
270mOhm 32A 284W TO247 Infineon Technologies 560V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPW47N60C3 N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 160 mOhm; 47A; 415W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STW45NM60; SPW47N60C3FKSA1;
Micros Symbol: TSPW47N60C3 Infos
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SPW47N60C3 RoHS || SPW47N60C3 TO 3P
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPW47N60C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
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Auf Lager:
8 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 60+
Preis netto (EUR) 11,7418 11,1457 10,7657 10,5662 10,4831
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
160mOhm 47A 415W TO 3P Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SQ2309ES P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 1,7A; 336 mOhm; 2W; -55°C~175°C; Äquivalent: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3;
Micros Symbol: TSQ2309es Infos
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SQ2309ES-T1-GE3 RoHS 8P.. || SQ2309ES SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SQ2309ES-T1-GE3 RoHS 8P.. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8075 0,5082 0,4204 0,3752 0,3515
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
336mOhm 1,7A 2W SOT23 VISHAY 60V 4V MOSFET -55°C ~ 175°C 10V SMD
SQ2361AEES-T1_GE3 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 170 mOhm; 2,8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3;
Micros Symbol: TSQ2361aees Infos
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SQ2361AEES-T1_GE3 RoHS 9C.. || SQ2361AEES-T1_GE3 SOT23-3
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SQ2361AEES-T1_GE3 RoHS 9C.. Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
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Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8882 0,5914 0,4892 0,4417 0,4227
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
170mOhm 2,8A 2W SOT23-3 VISHAY 60V 10V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SQ2389ES-T1_GE3 P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 188 mOhm; 4.1A; 3W; -55 °C ~ 175 °C; SQ2389ES-T1_GE3
Micros Symbol: TSQ2389es Infos
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SQ2389ES-T1_GE3 RoHS (A9xxx) || SQ2389ES-T1_GE3 SOT23-3
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SQ2389ES-T1_GE3 RoHS (A9xxx) Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0735 0,7125 0,5914 0,5320 0,5106
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
188mOhm 4,1A 3W SOT23-3 VISHAY 40V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SQD19P06-60L_GE3 MOSFET-Transistor, P-Channel, 20 A, 60 V, 0,046 Ohm, 10 V, 2,5 V VISHAY SQD19P06-60L-E3; SQD19P06-60L_GE3; SQD19P06-60L-GE3;
Micros Symbol: TSQD19p06-60l Infos
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SQD19P06-60L-GE3 RoHS || SQD19P06-60L_GE3 DPAK
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SQD19P06-60L-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r  
Auf Lager:
446 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1875 0,7885 0,6531 0,5890 0,5652
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
55mOhm 20A 46W TO252 (DPACK) VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,1 mOhm; 60A; 68W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TSQJ407ep Infos
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SQJ407EP-T1_GE3 RoHS || SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SQJ407EP-T1_GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,5960 1,2635 1,0759 0,9880 0,9381
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
7,1mOhm 60A 68W PPAK-SO8 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
PBHV8540T NEXPERIA NPN 400V 0.5A 300mW 30MHz NPN 400V 0.5A 300mW 30MHz
Micros Symbol: TPBHV8540t Infos
Datenblatt
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PBHV8540T RoHS || PBHV8540T NEXPERIA SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
PBHV8540T RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
480 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3159 0,1757 0,1387 0,1259 0,1218
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SOT23 NXP 300mW 200 30MHz 500mA 400V NPN -55°C ~ 150°C
PBRN113ET,215 NXP NPN 40V 600mA 250mW NPN 40V 600mA 250mW
Micros Symbol: TPBRN113et Infos
Datenblatt
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PBRN113ET,215 RoHS || PBRN113ET,215 NXP SOT23-3
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
PBRN113ET,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3111 0,1988 0,1394 0,1195 0,1133
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Standard-Verpackung:
50/250
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 NXP 570mW 420 700mA 40V NPN -65°C ~ 150°C
SSF60R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 190 mOhm; 20A; 34W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSSF60r190s2 Infos
Datenblatt
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SSF60R190S2 RoHS || SSF60R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR TO220iso
Hersteller:
Super Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
SSF60R190S2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5413 1,2302 1,0521 0,9452 0,9072
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
190mOhm 20A 34W TO220iso SUPER SEMICONDUCTOR 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
SSF65R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 190 mOhm; 20A; 34W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSSF65r190s2 Infos
Datenblatt
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SSF65R190S2 RoHS || SSF65R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR TO220iso
Hersteller:
Super Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
SSF65R190S2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
53 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,6197 1,2374 1,0236 0,8977 0,8526
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
190mOhm 20A 34W TO220iso SUPER SEMICONDUCTOR 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
PBSS4021NT Transistor GP BJT NPN 20V 4.3A 1100mW Automotive 3-Pin TO-236AB Transistor GP BJT NPN 20V 4.3A 1100mW Automotive 3-Pin TO-236AB
Micros Symbol: TPBSS4021nt Infos
Datenblatt
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PBSS4021NT,215 RoHS *BH || PBSS4021NT SOT23-3
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
PBSS4021NT,215 RoHS *BH Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
190 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4061 0,2660 0,1907 0,1667 0,1563
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 NXP 1,1W 550 165MHz 4,3A 20V NPN -55°C ~ 150°C
PBSS4021PT,215 Transistor GP BJT PNP 20V 3.5A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R Transistor GP BJT PNP 20V 3.5A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Micros Symbol: TPBSS4021pt Infos
Datenblatt
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PBSS4021PT,215 RoHS || PBSS4021PT,215 SOT23-3
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
PBSS4021PT,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 800+
Preis netto (EUR) 0,4489 0,2707 0,2078 0,1874 0,1791
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Standard-Verpackung:
800
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 NXP 1,1W 400 155MHz 3,5A 20V PNP -55°C ~ 150°C
1    118  119  120  121  122  123  124  125  126    355