Transistors (results: 10092)
| Product | Cart |
Open channel resistance
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Max. drain current
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Max. power loss
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Case
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Manufacturer
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Power dissipation
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Current gain factor
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Cutoff frequency
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Gate charge
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Max. dissipated power
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Max. drain-source voltage
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Max. collector current
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Max collector-emmiter voltage
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Max. collector current
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Max collector current (impulse)
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Forvard volatge [Vgeth]
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Transistor type
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Max. drain-gate voltage
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Operating temperature (range)
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Max. gate-source Voltage
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Mounting
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Collector-emitter voltage
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Gate-emitter voltage
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Transistor circuits [Y/N]
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BC807-40LT1G ONS
NPN 45V 500mA 225mW
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| SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 225mW | 600 | 100MHz | 500mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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DN2450N8-G Microchip
N-MOSFET 500V 230mA 10Ω 1.6W
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| 10Ohm | 230mA | 1,6W | SOT89 | MICROCHIP | 500V | N-MOSFET | 500V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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BC807-40LR
45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
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| SOT23 | NXP | 250mW | 600 | 80MHz | 500mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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BC807K-40R Nexperia USA Inc.
BC807K - 45V, 500MA PNP GENERAL- transistors - bipolar (bjt) - single
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BC816-16HR
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 80 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE BC816-16HR
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BC816-25HR
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 80 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 160 hFE BC816-25HR
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BC816-25HVL
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 80 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 160 hFE BC816-25HVL
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BC817K-25HR
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 950mW Automotive 3-Pin TO-236AB BC817K-25HR (350mW) , BC817K-25R (250mW) , BC817K-25VL (250mW) , BC817-25HVL (35
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BC817-40Q-7-F
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC807-40Q-13-F
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FDA20N50_F109
N-MOSFET 22A 500V 280W 0.23Ω
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| 230mOhm | 22A | 280W | TO 3P | Fairchild | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||
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FDB035AN06A0
N-MOSFET 80A 60V 310W 0.0035Ω
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| 3,5mOhm | 80A | 310W | TO263 (D2PAK) | Fairchild | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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FDB070AN06A0
N-MOSFET 80A 60V 175W 0.007Ω
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| 7mOhm | 80A | 175W | D2PAK | Fairchild | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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FDB5800
N-MOSFET 80A 60V 242W 0.006Ω
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| 6mOhm | 80A | 242W | D2PAK | Fairchild | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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FDB20N50F
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
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BC817-25 JSMICRO
Transistor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
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| SOT23 | JSMICRO | 300mW | 400 | 100MHz | 500mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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FDB3632
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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| 22mOhm | 80A | 310W | TO263 (D2PAK) | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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BC817-40 SOT23 HT SEMI
45V 345mW 250@100mA,1V 500mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
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Item in delivery
Estimated time: 2025-12-31
Quantity of pieces: 30000
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FDC3601N
2N-MOSFET 1A 100V 0.7W 0.5Ω
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| 500mOhm | 1A | 700mW | TSOT23-6 | Fairchild | 100V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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BC817-40 MLCCBASE
Transistor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC817-40,215; BC817-40,235; BC817-40LT1G; BC817-40LT3G; BC817-40 RFG; BC817-40-7-F; BC817-40-TP;
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| SOT23 | MLCCBASE | 300mW | 600 | 100MHz | 500mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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FDC5614P
P-MOSFET 3A 60V 0.8W 0.105Ω
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| 190mOhm | 3A | 1,6W | SSOT6L | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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BC817-40-Q DIOTEC
BC817-40-Q
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FDC6420C SSOT6 TECH PUBLIC
Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C
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| 80mOhm | 3,5A | 1,14W | SSOT6L | TECH PUBLIC | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||
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BC817-40W-7
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-323
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| SOT323 | DIODES | 200mW | 250 | 100MHz | 500mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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BC817-40W-QF
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R BC817-40W-QX;
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| SC70-3 | NXP | 200mW | 600 | 100MHz | 500mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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IRGP20B120U-EP
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 40A; 120A; 300W; 4,0V~6,0V; 254nC; -55°C~150°C;
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| TO247AD | International Rectifier | 254nC | 300W | 40A | 120A | 4,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 1200V | 20V | ||||||||||||||||
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FDD120AN15A0 ON Semiconductor
N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK
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| 302mOhm | 14A | 65W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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IRGP20B120UD-EP
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 40A; 120A; 300W; 4,0V~6,0V; 254nC; -55°C~150°C;
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| TO247AD | International Rectifier | 254nC | 300W | 40A | 120A | 4,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 1200V | 20V | ||||||||||||||||
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FDD2582 ON Semiconductor
N-Channel 150V 3.7A (Ta), 21A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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| 172mOhm | 21A | 95W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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FDD5612 ON Semiconductor
N-Channel 60V 5.4A (Ta) 3.8W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
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| 103mOhm | 18A | 42W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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