2N7002-7-F
Symbol Micros:
T2N7002
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 210mA |
| Maksymalna tracona moc: | 540mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 210mA |
| Maksymalna tracona moc: | 540mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
2N7002LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R); 2N7002LT1H; 2N7002LT7G;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
2N7002LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
5700 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5990 | 0,2750 | 0,1500 | 0,1120 | 0,0999 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
2N7002H6327XTSA2 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
2N7002H6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
Stan magazynowy
17910 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9360 | 0,4750 | 0,2880 | 0,2280 | 0,2080 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
2N7002-TP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta:
2N7002-TP RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
21000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,7870 | 0,3740 | 0,2100 | 0,1600 | 0,1430 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
2N7002 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
15000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2930 | 0,1130 | 0,0552 | 0,0439 | 0,0419 |
Sposób pakowania: 3000/15000
Ilość (wielokrotność 1)
2N7002 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
8460 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3390 | 0,1300 | 0,0637 | 0,0507 | 0,0484 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
2N7002 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
7150 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2170 | 0,0811 | 0,0434 | 0,0324 | 0,0299 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
2N7002 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3670 | 0,1450 | 0,0845 | 0,0618 | 0,0565 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
2N7002 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
2N7002 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2910 | 0,1120 | 0,0548 | 0,0435 | 0,0416 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
2N7002 MLCCBASE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C;
Producent:
MLCCBASE
Symbol producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3210 | 0,1240 | 0,0604 | 0,0480 | 0,0459 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
2N7002 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Producent:
JUXING
Symbol producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3350 | 0,1290 | 0,0629 | 0,0500 | 0,0478 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
7002 SOT23 GAOGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 4Ohm; 340mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Producent:
GAOGE
Symbol producenta:
7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2496 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2400 | 0,0898 | 0,0481 | 0,0359 | 0,0331 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)