2N7002-TP

Symbol Micros: T2N7002-TP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Micro Commercial Components Corp. Symbol producenta: 2N7002-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
21000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7870 0,3740 0,2100 0,1600 0,1430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta