2N7002H6327XTSA2 Infineon
Symbol Micros:
T2N7002h
Obudowa: SOT23t/r
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: 2N7002H6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8250 | 0,3920 | 0,2200 | 0,1670 | 0,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: 2N7002H6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2910 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8250 | 0,3920 | 0,2200 | 0,1670 | 0,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: 2N7002H6327XTSA2
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: 2N7002H6327XTSA2
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Magazyn zewnętrzny:
162000 szt.
| ilość szt. | 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: 2N7002H6327XTSA2
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Magazyn zewnętrzny:
72000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |