2N7002H6327XTSA2 Infineon

Symbol Micros: T2N7002h
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23t/r
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: 2N7002H6327XTSA2 RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9360 0,4750 0,2880 0,2280 0,2080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: 2N7002H6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Magazyn zewnetrzny:
189000 szt.
ilość szt. 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD