2N7002LT1G
Symbol Micros:
T2N7002 ONS
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R); 2N7002LT1H; 2N7002LT7G;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 115mA |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: 2N7002LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5395 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4610 | 0,2110 | 0,1150 | 0,0860 | 0,0768 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: 2N7002LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
7782000 szt.
| ilość szt. | 27000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0768 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: 2N7002LT3G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
145999 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0768 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: 2N7002LT3G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
3830000 szt.
| ilość szt. | 30000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0768 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Maksymalny prąd drenu: | 115mA |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |