BSS123 Fairchild

Symbol Micros: TBSS123 FAI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 12Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5090 0,2340 0,1270 0,0951 0,0849
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 12Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD