BSS123 Fairchild
Symbol Micros:
TBSS123 FAI
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: BSS123 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,5090 | 0,2340 | 0,1270 | 0,0951 | 0,0849 |
Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |