BSS123,215 NEXPERIA
Symbol Micros:
TBSS123 NXP
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
| Maksymalna tracona moc: | 250mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS123,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
13380 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9300 | 1,0600 | 0,8360 | 0,7740 | 0,7420 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS123,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
9990 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7420 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
| Maksymalna tracona moc: | 250mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BSS123LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS123LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
31600 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,7430 | 0,3530 | 0,1980 | 0,1510 | 0,1350 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS123LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
4173000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1350 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS123LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
267000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1350 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS123LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
6411000 szt.
| Ilość szt. | 18000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1350 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
Producent:
Fairchild
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
15 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5090 | 0,2340 | 0,1270 | 0,0951 | 0,0849 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
27000 szt.
| Ilość szt. | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0849 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
3291000 szt.
| Ilość szt. | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0849 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123-7-F DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123-13-F;
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS123-7-F RoHS .K23
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
2700 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5880 | 0,2700 | 0,1470 | 0,1100 | 0,0980 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS123-7-F RoHS .K23
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
2502000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0980 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS123-7-F RoHS .K23
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
2580000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0980 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BSS123-7-F RoHS .K23
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
3864000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0980 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
5000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3490 | 0,1380 | 0,0803 | 0,0588 | 0,0537 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2500 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3490 | 0,1350 | 0,0657 | 0,0522 | 0,0499 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4010 | 0,1580 | 0,0923 | 0,0675 | 0,0617 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BSS123 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3490 | 0,1350 | 0,0657 | 0,0522 | 0,0499 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Producent:
JUXING
Symbol producenta:
BSS123 0.323MM RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3140 | 0,1210 | 0,0591 | 0,0470 | 0,0449 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS123 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1500 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3950 | 0,1560 | 0,0908 | 0,0664 | 0,0607 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)