BSS123 SHIKUES
Symbol Micros:
TBSS123 SHK
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 300mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | SHIKUES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 300mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | SHIKUES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |