BSS123 JUXING

Symbol Micros: TBSS123 JUX
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: JUXING
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JUXING Symbol producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3490 0,1350 0,0657 0,0522 0,0499
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: JUXING
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: SMD