BSS84

Symbol Micros: TBSS84
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 17Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
1294 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5540 0,2540 0,1380 0,1040 0,0924
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/12000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS84LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5540 0,2540 0,1380 0,1040 0,0924
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS84 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
42000 szt.
ilość szt. 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS84LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
4002000 szt.
ilość szt. 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0924
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS84LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
2223000 szt.
ilość szt. 15000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1098
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 17Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD