BSS84LT1G

Symbol Micros: TBSS84
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 17Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS84LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6990 0,3320 0,1870 0,1420 0,1270
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
174 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6990 0,3320 0,1870 0,1420 0,1270
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/12000
Rezystancja otwartego kanału: 17Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD