BSS84 ONS
Symbol Micros:
TBSS84
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-TP MCCSEMI; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 17Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BSS84 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
13929 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,9070 | 0,5020 | 0,3330 | 0,2780 | 0,2590 |
Rezystancja otwartego kanału: | 17Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |