BSS84-TD TDSEMIC

Symbol Micros: TBSS84 TDS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 13Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: TDSEMIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: TDSEMIC Symbol producenta: BSS84-TD RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2530 0,0947 0,0507 0,0378 0,0349
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 13Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: TDSEMIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD