BSS84 NXP tranzystor polowy P-MOSFET

Symbol Micros: TBSS84 NXP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
125 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6550 0,3110 0,1750 0,1330 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/90000
Producent: NXP Symbol producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
94550 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6550 0,3110 0,1750 0,1330 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
1695000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
193000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
195000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Opis szczegółowy

BSS84 to wysokiej jakości tranzystor polowy typu P-MOSFET przeznaczony do zastosowań w układach elektronicznych wymagających efektywnego przełączania i wzmacniania sygnałów. Charakteryzuje się niskim napięciem progowym i minimalnym prądem upływu, co zapewnia efektywne i stabilne działanie.

Kluczowe cechy i możliwości tranzystora BSS84

Tranzystor oferuje maksymalne napięcie dren-źródło do 50 V, prąd drenu do 0,13 A oraz niską rezystancję R_DS(on), co przekłada się na wysoką efektywność energetyczną. Dzięki kompaktowej obudowie SOT-23 i dobrym parametrom termicznym, jest łatwy w montażu i sprawdza się w różnorodnych aplikacjach elektronicznych.

Typowe zastosowania tranzystora BSS84

Produkt znajduje zastosowanie w układach przełączających, wzmacniaczach sygnałowych, zasilaczach impulsowych oraz modułach sterowania w urządzeniach przemysłowych i konsumenckich.

Dzięki niezawodności i solidnym parametrom, BSS84 to doskonały wybór do projektów wymagających efektywnego tranzystora P-MOSFET. Sprawdź naszą ofertę i dobierz komponent idealny do swoich potrzeb.

Producent: ON SEMICONDUCTOR / DIOTEC / FAIRCHILD / DIODES
Typ tranzystora: P-MOSFET
Polaryzacja: unipolarny
Napięcie dren-źródło: -50V
Prąd drenu: 130mA
Moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta