BSS84,215

Symbol Micros: TBSS84 NXP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
14500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7700 0,3660 0,2060 0,1560 0,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/90000
Producent: NXP Symbol producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
5060 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7700 0,3660 0,2060 0,1560 0,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-06-13
Ilość szt.: 120000
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Opis szczegółowy

Producent: ON SEMICONDUCTOR / DIOTEC / FAIRCHILD / DIODES
Typ tranzystora: P-MOSFET
Polaryzacja: unipolarny
Napięcie dren-źródło: -50V
Prąd drenu: 130mA
Moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD