BSS84P INFINEON
Symbol Micros:
TBSS84p
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |