IRLR3410

Symbol Micros: TIRLR3410
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 155mOhm
Maksymalna tracona moc: 79W
Maksymalny prąd drenu: 17A
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRLR3410 RoHS IRLR3410TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,2300 1,3500 1,0400 0,9190 0,8870
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRLR3410TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1500 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2300 1,3500 1,0400 0,9350 0,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRLR3410TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
313 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 600+
cena netto (PLN) 2,2300 1,3500 1,0400 0,9350 0,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Rezystancja otwartego kanału: 155mOhm
Maksymalna tracona moc: 79W
Maksymalny prąd drenu: 17A
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD