IRLR3410
Symbol Micros:
TIRLR3410
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 155mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLR3410 RoHS IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
101 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3900 | 1,5100 | 1,1900 | 1,0700 | 1,0400 |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
395 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 600+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3900 | 1,5100 | 1,1900 | 1,0800 | 1,0400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR3410TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
3900 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2031 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR3410TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0485 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR3410TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
1386000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 155mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |