IRLR3410TRPBF JSMICRO
Symbol Micros:
TIRLR3410 JSM
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | JSMICRO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: JSMSEMI
Symbol producenta: IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4200 | 1,5300 | 1,2100 | 1,1000 | 1,0500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | JSMICRO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |