IRLR3410TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLR3410 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 130mOhm
Maksymalny prąd drenu: 15A
Maksymalna tracona moc: 34,7W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: IRLR3410TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5200 1,2600 1,1200 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 130mOhm
Maksymalny prąd drenu: 15A
Maksymalna tracona moc: 34,7W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta