Tranzystory (wyszukane: 9829)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD50R380CE Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 900mOhm; 14,1A; 98W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD50R380CEATMA1; IPD50R380CEAUMA1; IPD50R380CEBTMA1; IPD50R380CE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R380CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
900mOhm | 14,1A | 98W | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | 550V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R380CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
895000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
900mOhm | 14,1A | 98W | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | 550V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD50R3K0CE INFINEON
N-MOSFET 500V 1.7A 18W 3Ω IPD50R3K0CEAUMA1 (IPD50R3K0CEBTMA1 OBSOLETE)
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R3K0CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD50R500CE INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 1,18Ohm; 7,6A; 57W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD50R500CEATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R500CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,18Ohm | 7,6A | 57W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 550V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD50R650CEATMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD50R650CEAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R650CEAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD600N25N3G Infineon
N-MOSFET 250V 25A 136W 60mΩ IPD600N25N3GBTMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD600N25N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
DMP3085LSD-13
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A Automotive 8-Pin SO T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP3085LSD-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP3085LSD-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
37500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP3085LSD-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R1K5PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 2,892Ohm; 3,6A; 22W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R1K5PFD7SAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,892Ohm | 3,6A | 22W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R210PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 386mOhm; 16A; 64W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R210PFD7SAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R210PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
386mOhm | 16A | 64W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R280P7S Infineon Technologies
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 501mOhm; 12A; 53W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R280P7SAUMA1; IPD60R280P7SE8228AUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R280P7SAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
501mOhm | 12A | 53W | TO252 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R280PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 549mOhm; 12A; 51W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R280PFD7SAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R280PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
549mOhm | 12A | 51W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R2K0PFD7S
Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 1,9A | 20W IPD60R2K0PFD7SAUMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R2K1CE
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R2K1CEAUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R360P7S
Trans MOSFET N-CH 600V 9A
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R360P7SE8228AUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R360P7SAUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R360PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 715mOhm; 10A; 43W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R360PFD7SAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R360PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
715mOhm | 10A | 43W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R3K3C6 Infineon Tech
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 7,72Ohm; 1,7A; 18,1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R3K3C6ATMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,72Ohm | 1,7A | 18,1W | TO252 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R3K4CE Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A T/R IPD60R3K4CEAUMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R3K4CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R600C6 Infineon
N-MOSFET 600V 7.3A 63W 600mΩ IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6BTMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R600C6ATMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BCR142
Tranzystor NPN; 70; 200mW; 50V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR142E6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCR142E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 200mW | 70 | 150MHz | 100mA | 50V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCR142E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 200mW | 70 | 150MHz | 100mA | 50V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCR142E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 200mW | 70 | 150MHz | 100mA | 50V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
IPD60R600PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,219Ohm; 6A; 31W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R600PFD7SAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R600PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,219Ohm | 6A | 31W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R800CEATMA1 Infineon
N-MOSFET 600V 5.6A 48W 800mΩ IPD60R800CEAUMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R800CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPG20N06S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPG20N06S4L11ATMA2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD65R400CE Infineon
N-MOSFET 650V 15.1A 400mΩ 118W IPD65R400CEAUMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD65R400CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD70P04P409ATMA1
Trans MOSFET P-CH 40V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD70P04P409; IPD70P04P409ATMA2; IPD70P04P4-09;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD70P04P409ATMA2 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
8,9mOhm | 73A | 75W | DPAK | INFINEON | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
DMP4047SK3-13
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Podobny do: PTD40P20;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP4047SK3-13 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-28
Ilość szt.: 500
|
||||||||||||||||||||||||||||
IPD70R950CE
Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD70R950CEAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
NGTB40N120FL3WG
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NGTB40N120FL3WG Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
22230 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD80P03P4L07ATMA2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K0CE Infineon
N-MOSFET 800V 5.7A 83W 950mΩ IPD80R1K0CEATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD80R1K0CEATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD80R1K2P7ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
STGB10NC60HD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 65W; 3,75V~5,75V; 19,2nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: STGB10NC60HDT4;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10NC60HDT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
D2PAK | STMicroelectronics | 19,2nC | 65W | 20A | 30A | 3,75V ~ 5,75V | -55°C ~ 150°C | 600V | 20V | ||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10NC60HDT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1050 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
D2PAK | STMicroelectronics | 19,2nC | 65W | 20A | 30A | 3,75V ~ 5,75V | -55°C ~ 150°C | 600V | 20V |