Tranzystory (wyszukane: 9627)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPL60R104C7AUMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPL60R104C7AUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPL60R180P6AUMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A Automotive 5-Pin Thin-PAK T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPL60R180P6AUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPL60R210P6AUMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 5-Pin Thin-PAK T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPL60R210P6AUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
STGF10NB60SD STMicroelectronics
Trans IGBT ; 600V; 20V; 23A; 80A; 25W; 2,5V~5,0V; 33nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10NB60SD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
105300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220FP | STMicroelectronics | 33nC | 25W | 80A | 23A | 2,5V ~ 5,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10NB60SD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
3950 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220FP | STMicroelectronics | 33nC | 25W | 80A | 23A | 2,5V ~ 5,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10NB60SD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220FP | STMicroelectronics | 33nC | 25W | 80A | 23A | 2,5V ~ 5,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||
IPL65R115CFD7AUMA1 Infineon Technologies
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPL65R115CFD7AUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPN50R950CEATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; +/-20V; 950mOhm; 6,6A; 5W; -40°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN50R950CEATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
950mOhm | 6,6A | 5W | SOT223 | INFINEON | 500V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPL65R230C7AUMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 230mOhm; 10A; 67W; -40°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPL65R230C7AUMA1 Obudowa dokładna: VSON04 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
230mOhm | 10A | 67W | VSON04 | INFINEON | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R1K5CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPN50R1K4CEATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN50R1K4CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
312000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 2Ohm; 3,6A; 5W; -40°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN50R2K0CEATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
483000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 3,6A | 5W | SOT223 | INFINEON | 500V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN50R2K0CEATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 3,6A | 5W | SOT223 | INFINEON | 500V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
STGF14NC60KD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 11A; 50A; 28W; 4,5V~6,5V; 34,4nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF14NC60KD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
2178 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220FP | STMicroelectronics | 34,4nC | 28W | 50A | 11A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 150°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF14NC60KD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220FP | STMicroelectronics | 34,4nC | 28W | 50A | 11A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 150°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||
IPN60R1K0PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,978Ohm; 4,7A; 6W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R1K0PFDS7SATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R1K0PFD7SATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,978Ohm | 4,7A | 6W | SOT223 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 2,893Ohm; 3,6A; 6W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R1K5PFD7SATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R1K5PFD7SATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,893Ohm | 3,6A | 6W | SOT223 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPN60R2K0PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 3,825Ohm; 3A; 6W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R2K0PFD7SATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R2K0PFD7SATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,825Ohm | 3A | 6W | SOT223 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 2,1Ohm; 3,7A; 5W; -40°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R2K1CEATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,1Ohm | 3,7A | 5W | SOT223 | INFINEON | 600V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R3K4CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
STGF19NC60HD
16A; 600V; 32W; IGBT w/ Diode
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF19NC60HD Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220iso | |||||||||||||||||||||||||||
IPN65R1K5CEATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN65R1K5CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPN70R1K4P7SATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R1K4P7SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R1K5CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R2K0P7SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BCR48PNH6327 INFINEON
Tranzystor NPN/PNP; 70; 250mW; 50V; 70/100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR48PNH6433XTMA1; BCR48PNH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCR48PNH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | Infineon Technologies | 250mW | 70 | 100MHz | 100mA | 50V | NPN/PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R360P7SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; +/-16V; 750mOhm; 6,5A; 6,7W; -40°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R750P7SATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 6,5A | 6,7W | SOT223 | INFINEON | 700V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||
IPN70R900P7SATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R900P7SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN80R4K5P7ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BCR553E6327 INFINEON
Tranzystor PNP; 40; 330mW; 50V; 500mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR553E6327HTSA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCR553E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | Infineon Technologies | 330mW | 40 | 150MHz | 500mA | 50V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
IPP020N08N5
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP020N08N5AKSA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP020N08N5AKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BCR573E6327 INFINEON
NP 50V 500mA 150MHz 330mW BCR573E6433HTMA1 BCR573E6327HTSA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCR573E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPP023NE7N3G
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP023NE7N3GXKSA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP023NE7N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4088 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |