Tranzystory (wyszukane: 9627)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMP3085LSS-13
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A Automotive 8-Pin SO T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP3085LSS-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R210PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 386mOhm; 16A; 64W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R210PFD7SAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R210PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
386mOhm | 16A | 64W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R600C6 Infineon
N-MOSFET 600V 7.3A 63W 600mΩ IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6BTMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R600C6ATMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R280P7S Infineon Technologies
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 501mOhm; 12A; 53W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R280P7SAUMA1; IPD60R280P7SE8228AUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R280P7SAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
501mOhm | 12A | 53W | TO252 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R280PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 549mOhm; 12A; 51W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R280PFD7SAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R280PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
549mOhm | 12A | 51W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R2K0PFD7S
Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 1,9A | 20W IPD60R2K0PFD7SAUMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R2K1CE
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R2K1CEAUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R360P7S
Trans MOSFET N-CH 600V 9A
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R360P7SE8228AUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R360PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 715mOhm; 10A; 43W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R360PFD7SAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R360PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
715mOhm | 10A | 43W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R3K3C6 Infineon Tech
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 7,72Ohm; 1,7A; 18,1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R3K3C6ATMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,72Ohm | 1,7A | 18,1W | TO252 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R3K4CE Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A T/R IPD60R3K4CEAUMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R3K4CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R600PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,219Ohm; 6A; 31W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R600PFD7SAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R600PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,219Ohm | 6A | 31W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD60R800CEATMA1 Infineon
N-MOSFET 600V 5.6A 48W 800mΩ IPD60R800CEAUMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R800CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD65R400CE Infineon
N-MOSFET 650V 15.1A 400mΩ 118W IPD65R400CEAUMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD65R400CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPI086N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD70P04P409ATMA1
Trans MOSFET P-CH 40V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD70P04P409; IPD70P04P409ATMA2; IPD70P04P4-09;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD70P04P409ATMA2 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
8,9mOhm | 73A | 75W | DPAK | INFINEON | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BCP56-16-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.
NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: BCP56-16-AU_R2_000A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
332500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BCP56-16-QX
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 BCP56-16-QF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP56-16-QX Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
140000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | NXP | 1,35W | 250 | 180MHz | 1A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R360P7SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
NGTB40N120FL3WG
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NGTB40N120FL3WG Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
20220 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD70R600P7SAUMA1
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD70R600P7SAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
DMP4047SK3-13
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Podobny do: PTD40P20;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP4047SK3-13 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
STGB10NC60HD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 65W; 3,75V~5,75V; 19,2nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: STGB10NC60HDT4;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10NC60HDT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
D2PAK | STMicroelectronics | 19,2nC | 65W | 30A | 20A | 3,75V ~ 5,75V | -55°C ~ 150°C | 600V | 20V | ||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10NC60HDT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1030 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
D2PAK | STMicroelectronics | 19,2nC | 65W | 30A | 20A | 3,75V ~ 5,75V | -55°C ~ 150°C | 600V | 20V | ||||||||||||||||||
BCP56-16T-QX
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 BCP56-16T-QF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP56-16T-QF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
696000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP56-16T-QX Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP56-16T-QF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3214 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD80P03P4L07ATMA2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K0CE Infineon
N-MOSFET 800V 5.7A 83W 950mΩ IPD80R1K0CEATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD80R1K0CEATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K4P7ATMA1
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD80R1K4P7ATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN80R3K3P7ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R280P7ATMA1
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD80R280P7ATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BCP5610QTC
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BCP5610QTC Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |