Tranzystory (wyszukane: 9508)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMBT3904MB
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 590mW Automotive 3-Pin DFN-B PMBT3904MB,315
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PMBT5550 NEXPERIA
Trans GP BJT NPN 140V 0.3A 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB PMBT5550 PMBT5550,215 PMBT5550,235
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PMPB14XNX
MOSFET mocy, Kanał N, 40 V, 8.1 A, 0.015 ohm, DFN2020MD, montaż powierzchniowy PMPB14XNX
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SUD40N10-25-E3
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 63mOhm; 40A; 136W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
63mOhm | 40A | 136W | TO252 (DPACK) | VISHAY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMT | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SUD50P04-09L-E3
Single P-Channel MOSFET 40V 0.0145 Ohm
|
||||||||||||||||||||||||||
0,0145Ohm | 50A | 136W | TO252 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SUM90140E-GE3
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||||||||||||
18mOhm | 90A | 375W | D2PAK | VISHAY | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SUP57N20-33-E3 VISHAY
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 93mOhm; 57A; 300W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
93mOhm | 57A | 300W | TO220 | VISHAY | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
TC6320TG-G
N/P-MOSFET 2A 200V 7/8Ω
|
||||||||||||||||||||||||||
SOP08 | MICROCHIP | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | SMD | ||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
TK100E08N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Odpowiednik: TK100E08N1,S1X(S; TK100E08N1,S1X; TK100E08N1;
|
||||||||||||||||||||||||||
3,2mOhm | 214A | 255W | TO220 | TOSHIBA | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
TK110P10PL,RQ(S2
Mosfet, N-ch, 100V, 40A, TO-252
|
||||||||||||||||||||||||||
16mOhm | 40A | 75W | TO252 | Toshiba | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PXT8050 China
NPN 1500mA 25V 625mW 100MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PXT8550 China
PNP -1500mA -25V 625mW 120MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PZTA44-QX
Trans GP BJT NPN 500V 0.3A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
QS5K2TR
2N-MOSFET 30V 2A 1.25W
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
TK40E06N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine TK40E06N1 TK40E06N1,S1X(S
|
||||||||||||||||||||||||||
10,4mOhm | 60A | 67W | TO220 | TOSHIBA | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
S9012 SOT23 BORN
Tranzystor PNP; Bipolar; 25V; 300mW; 40V; 500mA; 150MHz; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23 | BORN | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
S9013 SOT23 BORN
Tranzystor NPN; Bipolar; 25V; 300mW; 40V; 500mA; 150MHz; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23 | BORN | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
S9014 SOT23 BORN
Tranzystor NPN; Bipolar; 45V; 200mW; 50V; 100mA; 300MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC850C;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
SOT23 | BORN | 200mW | 10000 | 150MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-15
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
S9014 MDD
Transistor SOT-23 NPN 50V 0.1A
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
S9015 SOT23 BORN
Tranzystor PNP; Bipolar; 45V; 200mW; 50V; 100mA; 150MHz; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23 | BORN | 200mW | 1000 | 150MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
S9018 SOT23 BORN
Tranzystor NPN; Bipolar; 5V; 200mW; 30V; 50mA; 850MHz; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23 | BORN | 200mW | 850MHz | 50mA | 15V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 75V 150A 8-Pin SOP Advance TPH2R608NH,L1Q(M
|
||||||||||||||||||||||||||
2,6mOhm | 150A | 142W | SOP08 | Toshiba | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
9mOhm | 64A | 210W | SOP08 Advance (5x5) | Toshiba | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SBC847BPDW1T3G
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SBCP56-10T1G
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
TSM2301ACX RFG
P-Ch 20V 2,8A 0,7W 0,19R SOT23 obsolete; TSM2301ACX ; TSM2301ACX RFG ; TSM2301ACX RF-VB; replaced by TSM650P02CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||||
190mOhm | 2,8A | 700mW | SOT23 | TAIW-SEMIC | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
TSM2301CX
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; LGE2301; TSM2301CX RF-VB; KI2301DS;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-20
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
TSM2302CX
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik:TSM2302CX RFG; LGE2302;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
MJD2873-QJ Nexperia USA Inc.
MJD2873-Q/SOT428/DPAK transistors - bipolar (bjt) - single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SMMBT3906WT1G ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|