Tranzystory (wyszukane: 9589)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PJA3461_R1_00001
SOT-23, MOSFET PJA3461_R1_00001; PJA3461_R2_00001;
|
||||||||||||||||||||||||||
240mOhm | 1,9A | 1,25W | SOT-23 | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PMPB85ENEAX
Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PMV280ENEAR
N-Channel 100V 1.1A (Ta) 580mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN011-80YS,115 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN011-80YS.115;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN025-80YLX NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 80V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN2R4-30MLDX
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30MLD115
|
||||||||||||||||||||||||||
3,2mOhm | 70A | 91W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 30V | N-MOSFET | 30V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10,7mOhm; 120A; 405W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
10,7mOhm | 120A | 405W | TO263 (D2PAK) | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
KSA1220A
Tranzystor PNP; 320; 1,2W; 160V; 1,2A; 175MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do KSC2690/KSC2690A; KSA1220AYS; KSA1220AYSTU;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO126 | ON SEMICONDUCTOR | 1,2W | 320 | 175MHz | 1,2A | 160V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
RD01MUS2B-T113
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 10V; 600mA; 3,6W; -40°C ~ 125°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
600mA | 3,6W | SOT89 | Mitsubishi Electric | 25V | N-MOSFET | -40°C ~ 125°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
RFD14N05L
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 50V; 10V; 100mOhm; 14A; 48W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
100mOhm | 14A | 48W | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | 50V | -55°C ~ 175°C | 10V | THT | ||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
LGE18N50F LGE
Odpowiednik: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
LGE2N65D TO252 LGE
Odpowiednik: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
LND150K1-G
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
LND150N3-G
Tranzystor MOSFET N-CH; 740mW; 500V; 30mA; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO92 | Supertex | 740mW | 30mA | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
LP395Z
Tranzystor NPN; 36V; 100mA; -40°C ~ 125°C; Odpowiednik: LP395Z/NOPB;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO92 | Texas Instruments | 100mA | 36V | NPN | -40°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
LPSC2301
20V 2A 110mOhm@4.5V,2A 780mW P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Podobny do BSS83P;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
M8050 SOT23
0.2W 800mA NPN Bipolar Trans.
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23 | ElecSuper | 200mW | 400 | 150MHz | 800mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
MBT3904DW1T1G
40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS LRC LMBT3904DW1T1G;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT363 | FUXINSEMI | 200mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | 2xNPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 8-PowerVDFN
|
||||||||||||||||||||||||||
15,3mOhm | 10A | 15W | HSMT8 | ROHM | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM
Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin DFN-W
|
||||||||||||||||||||||||||
470mOhm | 1A | 1W | SOT883 | ROHM | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
|
||||||||||||||||||||||||||
3Ohm | 250mA | 1W | DFN1010-3W | ROHM | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
MJD127
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252 MJD127-LGE
|
||||||||||||||||||||||||||
TO252 (DPACK) | LGE | 1,5W | 12000 | 8A | 100V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
MJD31C CDIL
Tranzystor NPN; 50; 1,25W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31C-13; MJD31C1G;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
TO252 | LGE | 1,25W | 50 | 3MHz | 3A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-30
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||||||||||||||||
MJE13005
Tranzystor; bipolarny; MJE13005; NPN; 4A; 400V; 60W; 4MHz; TO220; ST13005; MJE13005; 3DD13005ED-220C; YFW13005AT; MJE13005L-B-TA3-T; 3DD13005ND66; 3DD13005MD-220; MJE13005; MBR13005DA; ST13005;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
YFW13005AT
Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO220 | YFW | 2W | 35 | 4MHz | 4A | 700V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
MJE15030G
Tranzystor NPN; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 2W | 40 | 30MHz | 8A | 150V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SI1330EDL
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 Odpowiednik: SI1330EDL-T1-E3;
|
||||||||||||||||||||||||||
8Ohm | 240mA | 280mW | SC70-3 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SI1902DL-T1-E3
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 630mOhm; 660mA; 270mW; -55°C ~ 150°C; SI1902DL-T1-GE3; SI1902DL-T1-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||||
630mOhm | 660mA | 270mW | SC70-6 | VISHAY | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SI2306-TP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 20A; 620mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
65mOhm | 20A | 620mW | SOT23 | MCC | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|