Tranzystory (wyszukane: 9508)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MPSA94 TO92(ammo,formed)
400V 625mW 175@10mA,10V 300mA PNP TO-92 Bipolar (BJT) ROHS
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
MSB92WT1G
TRANS PNP 300V 0.5A SOT323 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
MUN5115DW1T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
MUN5116DW1T1G ONS
2PNP 50V 100mA 250mW
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
MUN5230T1G ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
NHDTA114EUF
NHDTA114EU/SOT323/SC-70 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
MMFTN6001
MOSFET, SOT-23, 60V, 0.440A, N, ODPOWIEDNIK: MMFTN6001-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||||
2,6Ohm | 440mA | 530mW | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||||||||||||
20mOhm | 53,7A | 6,25W | PPAK-SO8 | VISHAY | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||||||||||||
3,5mOhm | 33,3A | 5W | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30V
|
||||||||||||||||||||||||||
5mOhm | 30A | 5W | PPAK-SO8 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
NHUMH9X
NHUMH9/SOT363/SC-88 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
NJL0302DG
PNP 15A 260V 180W 30MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
30MHz | PNP | |||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
NSS60601MZ4 SOT223
NPN 6A 60V 0.8W 100MHz NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T3G
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
NST3904DXV6T5G
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 500mW 6-Pin SOT-563
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
NST3906F3T5G
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 347mW 3-Pin SOT-1123
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SISS52DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
1,9mOhm | 47,1A | 4,8W | PPAK1212-8S | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SISS76LDN-T1-GE3
P-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
6,9mOhm | 19,6A | 4,8W | PPAK1212-8S | VISHAY | 70V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SISS92DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V POWERPAK 1212
|
||||||||||||||||||||||||||
190mOhm | 3,4A | 5,1W | PPAK1212-8S | VISHAY | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
NSV1C200LT1G
Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SPA16N50C3XKSA1
Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA16N50C3XKSA1; SPA16N50C3;
|
||||||||||||||||||||||||||
280mOhm | 16A | 34W | TO220iso | INFINEON | 560V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SPP21N50C3XKSA1
Trans MOSFET N-CH 560V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP21N50C3HKSA1
|
||||||||||||||||||||||||||
190mOhm | 21A | 34,5W | TO220 | Infineon | 560V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SQ2319ADS-T1
Tranzystor MOSFET, Kanał P, -4.6 A, 40 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V VISHAY SQ2319ADS-T1_BE3; SQ2319ADS-T1_GE3;
|
||||||||||||||||||||||||||
68mOhm | -4,6A | 2,5W | SC-59 | VISHAY | -40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
NSVMUN5314DW1T3G
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SQD40081EL_GE3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 13,1mOhm; 50A; 71W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
13,1mOhm | 50A | 71W | TO252 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PBHV8115Z
Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 PBHV8115Z,115
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
PBHV9115T
Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 PBHV9115T,215
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SQM120P06-07L
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 120A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SQM120P06-07L_GE3; SQM120P06-07L-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||||
13mOhm | 120A | 375W | TO263 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SQM40016EM_GE3
MOSFET N-CHAN 40V SQM40016EM-GE3; SQM40016EM_GE3;
|
||||||||||||||||||||||||||
1mOhm | 250A | 300W | TO263 | VISHAY | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SQM90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 95A TO263 SQM90142E_GE3;
|
||||||||||||||||||||||||||
15,3mOhm | 95A | 375W | D2PAK | VISHAY | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
SSA47N60S SUPER SEMICONDUCTOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
70mOhm | 47A | 391W | TO 3P | SUPER SEMICONDUCTOR | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|