Tranzystory polowe (wyszukane: 7019)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SD4933MR STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 200V 40A 5-Pin Case M-177MR Loose
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SD57030 STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 65V 4A 3-Pin Case M-243 Loose
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SD57045-01 STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3-Pin Case M-250 Loose
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI01P10-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1012CR-T1-GE3 VISHAY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 1,1Ohm; 630mA; 240mW; -55°C ~ 150°C; SI1012CR-T1-GE3
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
SC75-3 (SOT416) | VISHAY | 630mA | 20V | 8V | 240mW | SMD | 1,1Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2027-12-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||
|
SI1013CX-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1016CX-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1021R-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A OBSOLETE;
|
|||||||||||||
| SOT23 | VISHAY | 3,3A | 20V | 20V | 500mW | SMD | 65mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1024X-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1025X-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1026X-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1029X-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1031R-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1032R-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1062X-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1308EDL
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 185mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI1308EDL-T1-GE3;
|
|||||||||||||
| SC70-3 | VISHAY | 1,4A | 30V | 12V | 500mW | SMD | 185mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1900DL-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 6-Pin SC-70 SI1900DL-T1-GE3
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI1902CDL-T1 Vishay
2N-MOSFET 20V 1.1A 235mΩ 420mW SI1902CDL-T1-GE3
|
|||||||||||||
| SC70-6 | VISHAY | 1,1A | 20V | 20V | 12V | 420mW | SMD | 235mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2301 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||
| SOT23 | JUXING | 2,3A | 20V | 8V | 400mW | SMD | 142mOhm | -50°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2301CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2302A-TP
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2305CDS-T1-GE3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 88Ohm; 5A; 2,5W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||
| SOT23-3 | VBsemi | 5A | 20V | 12V | 2,5W | SMD | 88Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
G05P06L
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 5A; 4,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3;
|
|||||||||||||
| SOT23 | GOFORD | 5A | 60V | 20V | 4,3W | SMD | 170mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2312B-TP Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2316BDS-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin TO-236 SI2316BDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2319CDS-T1-GE3 Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 108mOhm; 4,4A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
| SOT23 | VISHAY | 4,4A | 40V | 20V | 2,5W | SMD | 108mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
SI2319CDS-T1-BE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||