Tranzystory polowe (wyszukane: 6300)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AUIRF7647S2TR
MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: AUIRF7647S2TR Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC028N06LS3GATMA1 Infineon
N-MOSFET 60V 100A 2.8mΩ BSC028N06LS3G BSC028N06LS3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC028N06LS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
AUIRFN8405 INFINEON
Trans MOSFET N-CH Si 40V 187A Automotive T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: AUIRFN8405TR Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
AUIRFR2905Z INFINEON
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: AUIRFR2905ZTRL Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC010N04LS6
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 1,4mOhm; 285A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC010N04LS6ATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC010N04LS6ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,4mOhm | 285A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BS170P
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170P Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC007N04LS6
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 1mOhm; 381A; 188W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC007N04LS6ATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC007N04LS6ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1mOhm | 381A | 188W | SMD | -55°C ~ 175°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC009NE2LS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC009NE2LS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC010N04LSI
Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R BSC010N04LSIATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC010N04LSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,05mOhm | 27A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | INFINEON | |||||
BSC010NE2LSIATMA1 Infineon
N-MOSFET 25V 38A BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC010NE2LSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 20V | 1mOhm | 38A | 96W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | INFINEON | |||||
BSC011N03LS Infineon
N-MOSFET 30V 100A 1.1mΩ BSC011N03LSTATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC011N03LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC014N04LSI
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP Odpowiednik: BSC014N04LSIATMA1; BSC014N04LSI TR; BSC014N04LSITR;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC014N04LSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC014N04LSTATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC014N04LSTATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC014NE2LSI
N-MOSFET 100A 25V 74W 0.0014Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC014NE2LSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
BSC020N03MSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC020N03MSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC030N03MSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC030N03MSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC030N03LSGATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC030N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC030N04NSGATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC030N04NSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC031N06NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC031N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
14500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC032N04LS
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON BSC032N04LSATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC032N04LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC039N06NS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,9mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC039N06NSATMA1; SP000985386;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC039N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5,9mOhm | 100A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||
BSC047N08NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC047N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0503NSIATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0503NSIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC050N04LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC050N04LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC052N08NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 95A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC052N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC054N04NS G
N-MOSFET 81A 40V 57W 0.0054Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC054N04NSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
BSC057N08NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 11mOhm; 100A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC057N08NS3GATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC057N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 11mOhm | 100A | 114W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC060N10NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11,5mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC060N10NS3GATMA1; BSC060N10NS3G;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC060N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 11,5mOhm | 90A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC060P03NS3E
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,6mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC060P03NS3EGATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC060P03NS3EGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 9,6mOhm | 100A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||
BSC066N06NS
N-MOSFET 64A 60V 46W 0.0066Ω BSC066N06NSATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC066N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6,6mOhm | 64A | 46W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | INFINEON |