Tranzystory polowe (wyszukane: 6300)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC067N06LS3 G
N-MOSFET 50A 60V 69W 0.0067Ω BSC067N06LS3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC067N06LS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
BSZ035N03MSGATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ035N03MSGATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC076N06NS3 G
N-MOSFET 50A 60V 69W 0.0076Ω BSC076N06NS3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC076N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
160000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,6mOhm | 75A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDFN08 | INFINEON | |||||
BSC077N12NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC077N12NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC084P03NS3GATMA1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 14mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC084P03NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 14mOhm | 14,9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC0902NSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0902NSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0902NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0902NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0904NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0904NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0906NSATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0906NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0910NDIATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 22A/36A 8-Pin TISON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0910NDIATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC0921NDI
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7mOhm; 40A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC0921NDIATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0921NDIATMA1 Obudowa dokładna: TISON8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 7mOhm | 40A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TISON8 | Infineon Technologies | |||||
BSC093N04LS G Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 13,7mOhm; 49A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC093N04LSGATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC093N04LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 13,7mOhm | 49A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC093N15NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC093N15NS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC120N03LSG INFINEON
N-MOSFET 30V 12A BSC120N03LSGATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC120N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 12mOhm | 12A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | INFINEON | |||||
BSC120N03MSG INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 39A; 28W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC120N03MSGATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC120N03MSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 14mOhm | 39A | 28W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||
BSC123N08NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 24mOhm; 55A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC123N08NS3GATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC123N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
245000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 24mOhm | 55A | 66W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC160N10NS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC160N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC252N10NSFGATMA1 Infineon
N-MOSFET 100V 40A 78W 25.2mΩ
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC252N10NSFGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSC340N08NS3GATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 66mOhm; 23A; 32W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC340N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 66mOhm | 23A | 32W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||
BSC900N20NS3G
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TDSON EP BSC900N20NS3GATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC900N20NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 90mOhm | 15,2A | 62,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | INFINEON | |||||
BSL202SNH6327XTSA1
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive 6-Pin TSOP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL202SNH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSL308CH6327XTSA1
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm/130mOhm; 2,3A/2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSL308CL6327HTSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL308CH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 130mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon Technologies | |||||
BSL308PEH6327 Infineon
2P-MOSFET 30V 2A 80mΩ 500mW BSL308PEH6327XTSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL308PEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 80mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | INFINEON | |||||
BSL606SNH6327 Infineon
N-MOSFET 60V 4.5A 60mΩ 2W BSL606SNH6327XTSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL606SNH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSN20BKR
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin TO-236AB
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSN20BKR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1047000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSN20BKR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSN20BKR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSN20Q-7
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSN20Q-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSN20Q-7 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
108653 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO040N03MSG INFINEON
N-MOSFET 30V 16A 1.56W 4mΩ BSO040N03MSGXUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO040N03MSGXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO110N03MSG Infineon
N-MOSFET 30V 10A 1.56W 11mΩ BSO110N03MSGXUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO110N03MSGXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO150N03MDG INFINEON
2N-MOSFET 30V 8A 15mΩ 1.4W BSO150N03MDGXUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO150N03MDGXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
BSO200P03SH INFINEON
P-MOSFET 30V 7.4A 1.56W 20mΩ BSO200P03SHXUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSO200P03SHXUMA1 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |