Transistoren (Ergebnisse: 8525)

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Transistorsysteme [J/N]
15T65SD JUXING IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;
15T65SD RoHS || 15T65SD JUXING TO220iso
Hersteller:
JUXING
Hersteller-Teilenummer:
15T65SD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1244 0,8252 0,6616 0,5680 0,5353
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220iso JUXING 21,1nC 37,5W 30A 60A 4,5V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C 650V THT 20V
MMBT5551 Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Ersatz: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
MMBT5551 RoHS || MMBT5551 SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
MMBT5551 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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15000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0437 0,0164 0,0088 0,0065 0,0060
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3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 300 300MHz 600mA 160V NPN -55°C ~ 150°C
S8050 MDD(MICRODIODE) Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;
S8050 RoHS || S8050 MDD(MICRODIODE) SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
S8050 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0435 0,0162 0,0087 0,0065 0,0060
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz 500mA 25V NPN -55°C ~ 150°C
IRLR2908 Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
IRLR2908TRPBF-TP RoHS || IRLR2908 TO252
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
IRLR2908TRPBF-TP RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9093 0,6031 0,5003 0,4512 0,4325
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
24mOhm 31A 53,5W TO252 TECH PUBLIC 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
S8550 China Transistor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 150MHz; -500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
S8550 RoHS || S8550 China SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
S8550 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0444 0,0166 0,0089 0,0066 0,0061
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz -500mA -25V PNP -55°C ~ 150°C
S9013 (J3) Transistor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
S9013 RoHS || S9013 (J3) SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
S9013 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0517 0,0193 0,0104 0,0077 0,0071
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz 500mA 25V NPN -55°C ~ 150°C
SS8050 SOT23 Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;
SS8050 RoHS || SS8050 SOT23 SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
SS8050 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0540 0,0202 0,0108 0,0081 0,0074
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 100MHz 1,5A 25V NPN -55°C ~ 150°C
SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD Transistor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER SS8550-ML; SS8550-D;
SS8550 RoHS || SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
SS8550 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0612 0,0229 0,0122 0,0091 0,0084
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 100MHz 1,5A -25V PNP -55°C ~ 150°C
GAN063-650WSAQ N-Channel-GaN/MOS-FET-Transistor; 650V; 20V; 120 mOhm; 34,5A; 143W; -55 °C ~ 175 °C;
GAN063-650WSAQ RoHS || GAN063-650WSAQ || GAN063-650WSAQ TO247
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
GAN063-650WSAQ RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Preis netto (EUR) 17,3290 14,3391 13,5911 13,0464 12,6490
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
120mOhm 34,5A 143W TO247 NXP 650V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
GAN063-650WSAQ
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 12,6490
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
120mOhm 34,5A 143W TO247 NXP 650V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
GAN063-650WSAQ
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
260 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 12,6490
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
120mOhm 34,5A 143W TO247 NXP 650V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
BGN40Q120SD BYD IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0 V ~ 7,0 V; 142 nC; -40°C~175°C;
BGN40Q120 RoHS || BGN40Q120SD BYD TO247
Hersteller:
BYD
Hersteller-Teilenummer:
BGN40Q120 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,3405 2,9665 2,7444 2,6322 2,5691
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 BYD 142nC 428W 80A 160A 5,0V ~ 7,0V -40°C ~ 175°C 1200V THT 20V
DGC40F120M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
DGC40F120M2 RoHS || DGC40F120M2 DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGC40F120M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,1395 2,6976 2,4382 2,3119 2,2418
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 198nC 388W 80A 160A 4,5V ~ 6,5V -45°C ~ 175°C 1200V THT 30V
DGC40H65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 80A; 160A; 280W; 5,0V~7,0V; 84nC; -45°C~175°C;
DGC40H65M2 RoHS || DGC40H65M2 DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGC40H65M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9028 1,4119 1,2039 1,1338 1,1197
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 84nC 280W 80A 160A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
DGC60F65M DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 120A; 180A; 428W; 5,0V~7,0V; 106nC; -45°C~175°C;
DGC60F65M RoHS || DGC60F65M DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGC60F65M RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,4171 1,9192 1,7018 1,6270 1,6106
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 106nC 428W 120A 180A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
DGC75F65M DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 150A; 300A; 440W; 4,5V~7,0V; 187nC; -45°C~175°C;
DGC75F65M RoHS || DGC75F65M DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGC75F65M RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 2,5831 2,2208 2,0057 1,9028 1,8444
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 187nC 440W 150A 300A 4,5V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
DGCP120F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 160A; 360A; 500W; 4,0V~6,5V; 300nC; -55°C~175°C;
DGCP120F65M2 RoHS || DGCP120F65M2 DONGHAI TO247Plus
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGCP120F65M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247Plus
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 4,5561 4,0511 3,7473 3,5953 3,5041
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO247Plus-3L Donghai 300nC 500W 160A 360A 4,0V ~ 6,5V -55°C ~ 175°C 650V THT 30V
DGF30F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
DGF30F65M2 RoHS || DGF30F65M2 DONGHAI TO220iso
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGF30F65M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2390 0,8673 0,6943 0,6732 0,6522
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220iso Donghai 48nC 60W 60A 180A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
DHG20T65D DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
DHG20T65D RoHS || DHG20T65D DONGHAI TO220iso
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DHG20T65D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1244 0,7480 0,5774 0,5587 0,5353
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220iso Donghai 59nC 96W 40A 60A 4,5V ~ 7,0V -55°C ~ 150°C 650V THT 20V
DHG25T120 DONGHAI IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 278W; 4,5V~7,0V; 141nC; -55°C~150°C;
DHG25T120D RoHS || DHG25T120 DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DHG25T120D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9613 1,5569 1,3909 1,3301 1,3067
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 141nC 278W 50A 75A 4,5V ~ 7,0V -55°C ~ 150°C 1200V THT 20V
DGN30F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
DGN30F65M2 RoHS || DGN30F65M2 DONGHAI TO 3PN
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGN30F65M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3PN
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Preis netto (EUR) 1,5054 1,0519 0,8649 0,8322 0,7925
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Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO 3PN Donghai 48nC 230W 60A 180A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
SL15T120FL SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
SL15T120FL RoHS || SL15T120FL SLKOR TO247
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
SL15T120FL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9192 1,4236 1,2132 1,1431 1,1291
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 SLKOR 70nC 125W 30A 40A 4,5V ~ 6,5V -55°C ~ 150°C 1200V THT 30V
SL25T120FL SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 60A; 350W; 4,5V~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
SL25T120FL RoHS || SL25T120FL SLKOR TO247
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
SL25T120FL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,5434 2,0174 1,7906 1,7112 1,6948
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 SLKOR 120nC 350W 50A 60A 4,5V ~ 6,5V -55°C ~ 150°C 1200V THT 20V
SL40T120FL SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 718W; 4,5V~6,5V; 165nC; -55°C~175°C;
SL40T120FL RoHS || SL40T120FL SLKOR TO247
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
SL40T120FL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 3,0997 2,5527 2,3260 2,2371 2,2138
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
TO247 SLKOR 165nC 718W 80A 160A 4,5V ~ 6,5V -55°C ~ 175°C 1200V THT 20V
SL40T65FL SLKOR IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,0V~6,0V; 219nC; -40°C~175°C;
SL40T65FL RoHS || SL40T65FL SLKOR TO247
Hersteller:
SLKOR
Hersteller-Teilenummer:
SL40T65FL RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,3213 1,8421 1,6340 1,5639 1,5475
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 SLKOR 219nC 375W 80A 160A 4,0V ~ 6,0V -40°C ~ 175°C 650V THT 20V
BSS138 SOT23 HT SEMI Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
11600 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0652 0,0252 0,0123 0,0098 0,0093
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
2,5Ohm 340mA 350mW SOT23 HT 50V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 22V SMD
BSS84 SOT23 HT SEMI Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Ähnlich: BSS84-7-F
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
11900 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0610 0,0228 0,0122 0,0091 0,0084
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
10Ohm -130mA 225mW SOT-23 HT -60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
YFW9926S SOP-8 YFW 20V 5.2A 2W 50m?@4.5V,2.6A 700mV 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS Odpowiednik: IRF7301; IRF7301TRPBF;
YFW9926S RoHS || YFW9926S SOP-8 YFW SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW9926S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 20+ 60+ 180+
Preis netto (EUR) 0,4231 0,2712 0,2244 0,1830 0,1632
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Standard-Verpackung:
180
Menge (mehrere 1)
19mOhm 7,1A 2W SOP08 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
2N1711 CDIL NPN; 300; 800mW; 50V; 500mA; 70MHz; -65°C ~ 200°C; NPN; 300; 800mW; 50V; 500mA; 70MHz; -65°C ~ 200°C;
2N1711 RoHS || 2N1711 || 2N1711 CDIL TO 39
Hersteller:
CDIL
Hersteller-Teilenummer:
2N1711 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 39
Datenblatt
Auf Lager:
374 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,7036 0,4442 0,3483 0,3156 0,3062
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO 39 CDIL 800mW 300 70MHz 500mA 50V NPN -65°C ~ 200°C
 
Hersteller:
CDIL
Hersteller-Teilenummer:
2N1711
Präzisionsgehäuse:
TO 39
 
Externes Lager:
700 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3062
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
TO 39 CDIL 800mW 300 70MHz 500mA 50V NPN -65°C ~ 200°C
2N7002K SOT23 MDD Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;
2N7002K RoHS || 2N7002K SOT23 MDD SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
2N7002K RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0909 0,0358 0,0209 0,0153 0,0140
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 10)
3Ohm 300mA 300mW SOT23 MDD 60V MOSFET -50°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
2N7002K RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0909 0,0358 0,0209 0,0153 0,0140
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
3Ohm 300mA 300mW SOT23 MDD 60V MOSFET -50°C ~ 150°C 20V SMD
2N7000 DIOTEC N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
2N7000 RoHS || 2N7000 || 2N7000 DIOTEC TO92
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
6200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Preis netto (EUR) 0,1763 0,0704 0,0409 0,0339 0,0320
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Standard-Verpackung:
4000
Menge (mehrere 1)
9Ohm 200mA 400mW TO92 DIOTEC 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
85370 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0662
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
9Ohm 200mA 400mW TO92 DIOTEC 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7000
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0320
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
9Ohm 200mA 400mW TO92 DIOTEC 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
SK3400 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
SK3400 RoHS || SK3400 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES
Hersteller-Teilenummer:
SK3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1531 0,0727 0,0409 0,0311 0,0278
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
55mOhm 5,8A SOT23 SHIKUES 30V N-MOSFET -50°C ~ 150°C 12V SMD
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Transistoren

Feldeffekttransistoren, Bipolartransistoren, IGBT – das sind die Transistoren, die du im Micros-Shop findest. Erfahre, wozu ein Transistor dient und was die einzelnen Typen voneinander unterscheidet. Sieh dir an, warum es sich lohnt, unsere Produkte auszuwählen.

Was ist ein Transistor und wozu dient er?

Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das die Fähigkeit besitzt, elektrische Signale zu verstärken. Das Gerät zeichnet sich durch seine kleinen Abmessungen aus, weshalb Transistoren die früher verwendeten Elektronenröhren ersetzt haben. Man betrachtet das Aufkommen der Transistoren als einen der Hauptfaktoren, die die elektronische Entwicklung in den letzten Jahrzehnten vorangetrieben haben. Dies liegt an der Fähigkeit, Signale mit einem kleinen und relativ einfachen Bauteil erheblich zu verstärken. Aber warum war das so wichtig und wozu wird ein Transistor in der heutigen Elektronik verwendet? Hier einige Beispiele:

  • Er ist ein wesentlicher Bestandteil von Verstärkern;
  • Er dient als Bauelement in Halbleiterspeichern;
  • Er ist an der Signalübertragung beteiligt, z.B. in Spannungsverschiebungs- und Generatoren.

Transistoren und ihre Typen

Die Antwort auf die Frage, wozu ein Transistor dient, ist nicht einfach, solange wir nicht erklären, dass es verschiedene Arten von Transistoren gibt. Im Micros-Shop findest du jeden Transistor, den du benötigst. Wir bieten Geräte für verschiedene Anwendungen an, denn unser Ziel ist es, die Bedürfnisse jedes Kunden zu erfüllen. Wir unterscheiden drei Haupttypen von Transistoren, und Dutzende von Vertretern jeder dieser Kategorien findest du in den entsprechenden Produktkategorien in unserem Shop:

  • Feldeffekttransistoren
  • Bipolartransistoren
  • IGBT

Der Feldeffekttransistor kann als die klassischste Version des Transistors betrachtet werden. Diese Erfindung ist fast 100 Jahre alt, aber immer noch äußerst nützlich. Es handelt sich um ein Gerät, das aus einer einzigen Halbleiterschicht besteht, wobei der Strom durch das elektrische Feld gesteuert wird.

Bipolartransistoren, die wir ebenfalls anbieten, bestehen aus drei Halbleiterschichten, wobei jede eine andere Art von Halbleitern darstellt. Der IGBT ist eine Variante des Bipolartransistors, die zusätzlich mit einem isolierten Gate ausgestattet ist.

Transistoren in unserem Angebot

Unser Angebot umfasst Transistoren für alle Anwendungen. Wir bieten zahlreiche Feldeffekttransistoren, auch unipolare Transistoren genannt, die für integrierte Schaltungen oder Schalter unverzichtbar sind. Wenn du Teile für Stromverstärker benötigst, wähle unsere Bipolartransistoren. Die benötigten Teile für Photovoltaikanlagen findest du in der Kategorie der IGBT-Transistoren.

Alle unsere Produkte stammen von zuverlässigen Herstellern. Unter unseren Transistorlieferanten findest du Marken wie: NXP, Hottech, Infineon und Born. Bevor wir ein Produkt zum Verkauf freigeben, überprüfen wir den Transistor. Alles, um sicherzustellen, dass der Kunde qualitativ hochwertige und voll funktionsfähige Geräte erhält.