Tranzystory (wyszukane: 10614)
| Produkt | Koszyk | ||||
|---|---|---|---|---|---|
|
BSC050N04LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC050N04LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC052N03LSATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC052N03LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC059N04LS6
Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC059N04LS6ATMA1
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC059N04LS6ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC060P03NS3E
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,6mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC060P03NS3EGATMA1;
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC060P03NS3EGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC066N06NS
N-MOSFET 64A 60V 46W 0.0066Ω BSC066N06NSATMA1
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC066N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSZ035N03MSGATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSZ035N03MSGATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC0902NSATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0902NSATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC0902NSIATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0902NSIATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC090N03LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC090N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC0921NDI
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7mOhm; 40A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC0921NDIATMA1;
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0921NDIATMA1 Obudowa dokładna: TISON8 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC093N15NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC093N15NS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnętrzny:
55000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC0993NDATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0993NDATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC118N10NSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC118N10NSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC120N03LSG INFINEON
N-MOSFET 30V 12A BSC120N03LSGATMA1
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC120N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSC256N10LSFGATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC265N10LSFGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnętrzny:
25000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC265N10LSFGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP20N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
115 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSL202SNH6327XTSA1
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive 6-Pin TSOP
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL202SNH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
IKP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP30N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
35 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSL308PEH6327 Infineon
2P-MOSFET 30V 2A 80mΩ 500mW BSL308PEH6327XTSA1
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSL308PEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnętrzny:
57000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSN20BKR
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin TO-236AB
|
|||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSN20BKR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
1500 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSN20BKR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
IKP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
167 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
217 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 160A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKQ120N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
44 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSP316P
P-MOSFET 0.68A 100V 1.8W 1.8Ω BSP316PH6327XTSA1
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP316PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
35000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP316PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
37000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSP317P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 250V; 20V; 5Ohm; 430mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP317PH6327XTSA1;
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP317PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
128000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSP373
N-MOSFET 1.7A 100V 1.8W 0.3Ω BSP373NH6327XTSA1;
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP373NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP373NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
29000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSP92P / BSP92PH6327XTSA1
P-MOSFET 0.26A 250V 1.8W 12Ω Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP92PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
675 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP92PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
114000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
IKQ75N120CH3
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 IKQ75N120CH3XKSA1
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKQ75N120CH3XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
240 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
IKQ75N120CS6XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 75A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKQ75N120CS6XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
181 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
BSS123I
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSS123IXTSA1;
|
|||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS123IXTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
288000 szt. |
||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-11-13
Ilość szt.: 3000
|
||||