Tranzystory IGBT (wyszukane: 370)
| Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SKM100GB12T4
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 300A; 5,0~6,5V; 565nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||
Rys.SKM100
|
1200V | 20V | 100A | 300A | 5,0V ~ 6,5V | 565nC | Rys.SKM100 | SEMIKRON | -40°C ~ 175°C | ||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
WG50N65DHWQ
IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247; Trans IGBT Chip N-CH 650V 91A 278mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
|||||||||||||
TO247
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
DGTD65T15H2TF
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
|
|||||||||||||
|
|||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 338W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH75N65ZF1
|
650V | 20V | 75A | 300A | 338W | 4,2V ~ 5,8V | 444nC | TO247-4 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 1,2kV; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 568W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH75N120HF1
|
1200V | 20V | 75A | 200A | 568W | 4,2V ~ 5,8V | 398nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH50N65ZF1
|
650V | 20V | 50A | 200A | 297W | 4,2V ~ 5,8V | 308nC | TO247-4 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH50N65HS1
|
650V | 20V | 50A | 200A | 297W | 4,2V ~ 5,8V | 308nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH50N65HF1
|
650V | 20V | 50A | 200A | 297W | 4,2V ~ 5,8V | 308nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH75N65HF1
|
650V | 20V | 75A | 300A | 405W | 4,2V ~ 5,8V | 444nC | TO247-4 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH75N65HS1
|
650V | 20V | 75A | 300A | 405W | 4,2V ~ 5,8V | 444nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||