Tranzystory IGBT (wyszukane: 390)

1    5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Produkt Koszyk
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalna moc rozpraszana
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Ładunek bramki
Obudowa
Montaż
Producent
Temperatura pracy (zakres)
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 TrenchStop 5 -40+175°C
Symbol Micros: TIKW75n65el5 info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
Symbol Micros: TIKW75n65es5 info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRG4BC30FD Trans IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TIRG4bc30fd info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRG4BC30FD TO220
  600V 20V 31A 120A 100W 3,0V ~ 6,0V 77nC TO220 International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRG4BC40U Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40UPBF;
Symbol Micros: TIRG4bc40u info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRG4BC40U TO220
  600V 20V 40A 160A 160W 3,0V ~ 6,0V 150nC TO220 International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRG4PF50W Trans IGBT ; 900V; 20V; 51A; 204A; 200W; 3,0V~6,0V; 240nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TIRG4pf50w info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRG4PF50W TO247AC
  900V 20V 51A 204A 200W 3,0V ~ 6,0V 240nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRG4PH20KD Trans IGBT ; 1200V; 20V; 11A; 22A; 60W; 3,5V~6,5V; 43nC; -55°C~150°C; IRG4PH20KDPBF;
Symbol Micros: TIRG4ph20kd info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRG4PH20KD TO247AC
  1200V 20V 11A 22A 60W 3,5V ~ 6,5V 43nC TO247AC THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRG4PH30K Trans IGBT ; 1200V; 20V; 20A; 40A; 100W; 3,0V~6,0V; 80nC; -55°C~150°C; IRG4PH30KPBF;
Symbol Micros: TIRG4ph30k info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRG4PH30K TO247AC
  1200V 20V 20A 40A 100W 3,0V ~ 6,0V 80nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRG4PH30KD Trans IGBT ; 1200V; 20V; 20A; 40A; 100W; 3,0V~6,0V; 80nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TIRG4ph30kd info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRG4PH30KD TO247AC
  1200V 20V 20A 40A 100W 3,0V ~ 6,0V 80nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRG4PH50U Trans IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 180A; 200W; 3,0V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C; IRG4PH50UPBF;
Symbol Micros: TIRG4ph50u info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRG4PH50U TO247AC
  1200V 20V 45A 180A 200W 3,0V ~ 6,0V 250nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRG4PH50UD Trans IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 180A; 200W; 3,0V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C; IRG4PH50UDPBF;
Symbol Micros: TIRG4ph50ud info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRG4PH50UD TO247AC
  1200V 20V 45A 180A 200W 3,0V ~ 6,0V 250nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRG7PH42UD1-EP Trans IGBT ; 1200V; 30V; 85A; 200A; 313W; 3,0V~6,0V; 270nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TIRG7ph42ud1-ep info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IRG7PH42UD1-EP TO247AD
  1200V 30V 85A 200A 313W 3,0V ~ 6,0V 270nC TO247AD International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRG7PH42UPBF Trans IGBT ; 1200V; 30V; 90A; 90A; 385W; 3,0V~6,0V; 236nC; -55°C~175°C;
Symbol Micros: TIRG7ph42u info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRG7PH42UPBF TO247AC
  1200V 30V 90A 90A 385W 3,0V ~ 6,0V 236nC TO247AC THT International Rectifier -55°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRGP20B120UD-EP Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 40A; 120A; 300W; 4,0V~6,0V; 254nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TIRGP20b120ud-ep info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IRGP20B120UD-EP TO247AD
  1200V 20V 40A 120A 300W 4,0V ~ 6,0V 254nC TO247AD THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRGP30B60KD-EP Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 304W; 3,5V~5,5V; 153nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TIRGP30b60kd-ep info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IRGP30B60KD-EP TO247AD
  600V 20V 60A 120A 304W 3,5V ~ 5,5V 153nC TO247 International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRGP35B60PD Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 308W; 3,0V~5,0V; 240nC; -55°C~150°C; IRGP35B60PDPBF;
Symbol Micros: TIRGP35b60pd info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRGP35B60PD TO247AC
  600V 20V 60A 120A 308W 3,0V ~ 5,0V 240nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRGP4066D-E Trans IGBT ; 600V; 20V; 140A; 225A; 454W; 4,0V~6,5V; 225nC; -55°C~175°C;
Symbol Micros: TIRGP4066d-e info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IRGP4066D-E TO247AD
  600V 20V 140A 225A 454W 4,0V ~ 6,5V 225nC TO247AD International Rectifier -55°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRGS14C40L Trans IGBT ; 20A; 125W; 1,3V~2,2V; 27nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IRGS14C40LPBF; IRGS14C40LTRLPBF;
Symbol Micros: TIRGS14c40l info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRGS14C40L TO263 (D2PAK)
  20A 125W 1,3V ~ 2,2V 27nC TO263 (D2PAK) International Rectifier -40°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IXGH30N60C3D1 Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 220W; 3,0V~5,5V; 38nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TIXGH30n60c3d1 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IXGH30N60C3D1 TO247AD
  600V 20V 60A 150A 220W 3,0V ~ 5,5V 38nC TO247AD THT IXYS -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
JNG20T65KS JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 40A; 60A; 139W; 5,1V~6,9V; 271nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TJNG20t65ks info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG20T65KS JIAENSEMI TO263
  650V 30V 40A 60A 139W 5,1V ~ 6,9V 271nC TO263 SMD JIAENSEMI -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
STGF7NC60HD Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Symbol Micros: TSTGF7nc60hd info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STGF7NC60HD TO220FP
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
STGW30H60DLFB STMicroelectronics 30A; 600V; 260W; IGBT
Symbol Micros: TSTGW30h60dlfb info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STGW30H60DLFB STMicroelectronics TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
FGD3440G2-F085 IGBT 400V 26.9A TO252AA Transistors - IGBTs - Single ; FGD3440G2_F085;
Symbol Micros: TFGD3440G2-F085 info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
FGD3440G2-F085 TO252
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SKM100GB12T4 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 300A; 5,0~6,5V; 565nC; -40°C~175°C;
Symbol Micros: TSKM100gb12t4 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
SKM100GB12T4 Rys.SKM100
  1200V 20V 100A 300A 5,0V ~ 6,5V 565nC Rys.SKM100 SEMIKRON -40°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 338W
Symbol Micros: TBGH75N65ZF1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65ZF1
  650V 20V 75A 300A 338W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 1,2kV; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 568W
Symbol Micros: TBGH75N120HF1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N120HF1
  1200V 20V 75A 200A 568W 4,2V ~ 5,8V 398nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
Symbol Micros: TBGH50N65ZF1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65ZF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
Symbol Micros: TBGH50N65HS1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HS1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
Symbol Micros: TBGH50N65HF1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W
Symbol Micros: TBGH75N65HF1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HF1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W
Symbol Micros: TBGH75N65HS1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HS1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
1    5  6  7  8  9  10  11  12  13