Tranzystory IGBT (wyszukane: 389)

1    5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Produkt Koszyk
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalna moc rozpraszana
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Ładunek bramki
Obudowa
Montaż
Producent
Temperatura pracy (zakres)
IRGP35B60PD Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 308W; 3,0V~5,0V; 240nC; -55°C~150°C; IRGP35B60PDPBF;
Symbol Micros: TIRGP35b60pd info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRGP35B60PD TO247AC
  600V 20V 60A 120A 308W 3,0V ~ 5,0V 240nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRGP4066D-E Trans IGBT ; 600V; 20V; 140A; 225A; 454W; 4,0V~6,5V; 225nC; -55°C~175°C;
Symbol Micros: TIRGP4066d-e info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IRGP4066D-E TO247AD
  600V 20V 140A 225A 454W 4,0V ~ 6,5V 225nC TO247AD International Rectifier -55°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRGP4068D Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 96A; 144A; 330W; 4,0V~6,5V; 140nC; -55°C~175°C; IRGP4068DPBF;
Symbol Micros: TIRGP4068d info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRGP4068D TO247AC
  600V 20V 96A 144A 330W 4,0V ~ 6,5V 140nC TO247AC THT International Rectifier -55°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IRGS14C40L Trans IGBT ; 20A; 125W; 1,3V~2,2V; 27nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IRGS14C40LPBF; IRGS14C40LTRLPBF;
Symbol Micros: TIRGS14c40l info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IRGS14C40L TO263 (D2PAK)
  20A 125W 1,3V ~ 2,2V 27nC TO263 (D2PAK) International Rectifier -40°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
ISL9V3040D3ST Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Symbol Micros: TISL9V3040D3ST info Dodaj do ulubionych
ISL9V3040D3ST DPAK
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IXGH30N60C3D1 Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 220W; 3,0V~5,5V; 38nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TIXGH30n60c3d1 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
IXGH30N60C3D1 TO247AD
  600V 20V 60A 150A 220W 3,0V ~ 5,5V 38nC TO247AD THT IXYS -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
JNG20T65KS JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 40A; 60A; 139W; 5,1V~6,9V; 271nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TJNG20t65ks info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG20T65KS JIAENSEMI TO263
  650V 30V 40A 60A 139W 5,1V ~ 6,9V 271nC TO263 SMD JIAENSEMI -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
JNG40T120HS JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 120A; 300W; 4V~6V; 107nC; -55°C~155°C;
Symbol Micros: TJNG40t120hs info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG40T120HS JIAENSEMI TO247
  1200V 30V 80A 120A 300W 4,0V ~ 6,0V 107nC TO247 THT JIAENSEMI -55°C ~ 155°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
STGF19NC60HD 16A; 600V; 32W; IGBT w/ Diode
Symbol Micros: TSTGF19nc60hd info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STGF19NC60HD  
  TO220iso
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
STGF7NC60HD Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Symbol Micros: TSTGF7nc60hd info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STGF7NC60HD TO220FP
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
STGW30H60DLFB STMicroelectronics 30A; 600V; 260W; IGBT
Symbol Micros: TSTGW30h60dlfb info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STGW30H60DLFB STMicroelectronics TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
STGW40M120DF3 STMicroelectronics 80A; 1200V; 468W; IGBT
Symbol Micros: TSTGW40m120df3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
STGW40M120DF3 STMicroelectronics  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SKM100GB12T4 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 300A; 5,0~6,5V; 565nC; -40°C~175°C;
Symbol Micros: TSKM100gb12t4 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
SKM100GB12T4 Rys.SKM100
  1200V 20V 100A 300A 5,0V ~ 6,5V 565nC Rys.SKM100 SEMIKRON -40°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
STGF15M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 31000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Symbol Micros: TSTGF15m65df2 info Dodaj do ulubionych
STGF15M65DF2  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
STGD4M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Symbol Micros: TSTGD4m65df2 info Dodaj do ulubionych
STGD4M65DF2  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 338W
Symbol Micros: TBGH75N65ZF1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65ZF1
  650V 20V 75A 300A 338W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 1,2kV; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 568W
Symbol Micros: TBGH75N120HF1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N120HF1
  1200V 20V 75A 200A 568W 4,2V ~ 5,8V 398nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
Symbol Micros: TBGH50N65ZF1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65ZF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
Symbol Micros: TBGH50N65HS1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HS1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
Symbol Micros: TBGH50N65HF1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W
Symbol Micros: TBGH75N65HF1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HF1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W
Symbol Micros: TBGH75N65HS1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HS1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
YGP20N65T2 LUXIN-SEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 25V; 40A; 60A; 125W; 4,6V~6,2V; 45nC; -40°C~150°C; Podobny do: IKP15N60TXKSA1; IRGB4620DPBF;
Symbol Micros: TYGP20n65t2 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
YGP20N65T2 LUXIN-SEMI TO220
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
650V 25V 40A 60A 125W 4,6V ~ 6,2V 45nC TO220 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 150°C
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-14
Ilość szt.: 200
                     
YGW40N65F1 LUXIN-SEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 250W; 4V~6V; 90nC; -40°C~150°C; Podobny do: IKW40N60H3FKSA1; IRGP4640DPBF;
Symbol Micros: TYGW40n65f1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
YGW40N65F1 LUXIN-SEMI TO247
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
650V 20V 80A 120A 250W 4,0V ~ 6,0V 90nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 150°C
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-14
Ilość szt.: 60
                     
YGW50N65F1A LUXIN-SEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Podobny do: IKW50N60H3FKSA1;
Symbol Micros: TYGW50n65f1a info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
YGW50N65F1A LUXIN-SEMI TO247
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
650V 20V 100A 150A 312W 4,0V ~ 6,0V 180nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 175°C
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-14
Ilość szt.: 60
                     
YGW50N65T1 LUXIN-SEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Podobny do: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11;
Symbol Micros: TYGW50n65t1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
YGW50N65T1 LUXIN-SEMI TO247
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
650V 20V 100A 150A 312W 4,0V ~ 6,0V 180nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 175°C
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-14
Ilość szt.: 60
                     
YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 180A; 273W; 4,7V~6,3V; 145nC; -40°C~175°C; Podobny do: IKW50N65EH5XKSA1; IKZ50N65EH5XKSA1;
Symbol Micros: TYGW60n65fma1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI TO247
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
650V 20V 100A 180A 273W 4,7V ~ 6,3V 145nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 175°C
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-14
Ilość szt.: 60
                     
YGW60N65T1 LUXIN-SEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 416W; 4,3V~6,4V; 158nC; -40°C~150°C; Podobny do: IKW50N65EH5XKSA1; IKW60N60H3FKSA1;
Symbol Micros: TYGW60n65t1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
YGW60N65T1 LUXIN-SEMI TO247
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
650V 20V 120A 180A 416W 4,3V ~ 6,4V 158nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 150°C
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-14
Ilość szt.: 60
                     
YGW75N65FP LUXIN-SEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 710W; 4,2V~6,5V; 130nC; -40°C~150°C; Podobny do: IRGP4066DPBF;
Symbol Micros: TYGW75n65fp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
YGW75N65FP LUXIN-SEMI TO247
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
650V 20V 150A 225A 710W 4,2V ~ 6,5V 130nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 150°C
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-14
Ilość szt.: 60
                     
1    5  6  7  8  9  10  11  12  13