Strona główna / Tranzystory / Tranzystory IGBT (Wyświetlanie: 361-390 z 390 elementów)

Tranzystory IGBT (wyszukane: 390)

Produkt	Koszyk	Napięcie kolektor-emiter	Napięcie bramka-emiter	Maksymalny prąd kolektora	Maksymalna prąd kolektora w impulsie	Maksymalna moc rozpraszana	Napięcie przewodzenia (Vgeth)	Ładunek bramki	Obudowa	Montaż	Producent	Temperatura pracy (zakres)
STGD5H60DF STMicroelectronics IGBT 600V 10A 83W Symbol Micros: TSTGD5h60df info Dodaj do ulubionych
DPAK
DPAK	Pozycja dostępna na zamówienie
STGD6M65DF2 STMicroelectronics IGBT 650V 12A 88W Symbol Micros: TSTGD6m65df2 info Dodaj do ulubionych
DPAK
DPAK	Pozycja dostępna na zamówienie
STGF10NC60KD Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Symbol Micros: TSTGF10nc60kd info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO220FP
TO220FP	Pozycja dostępna na zamówienie
STGW15M120DF3 STMicroelectronics 30A; 1200V; 259W; IGBT Symbol Micros: TSTGW15m120df3 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO247
TO247	Pozycja dostępna na zamówienie
IXXA50N60B3 IXYS IGBT IXXA50N60B3 Symbol Micros: TIXXA50n60b3 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
STGW30NC60VD Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Symbol Micros: TSTGW30nc60vd info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO247
TO247	Pozycja dostępna na zamówienie
IXXH150N60C3 IXYS IGBT 600V TO247 IXXH150N60C3 Symbol Micros: TIXXH150n60c3 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IKW50N65RH5XKSA1 INDUSTRY 14 Symbol Micros: TIKW50N65RH5 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IKWH20N65WR6 IGBT TRENCH IKWH20N65WR6XKSA1 Symbol Micros: TIKWH20N65WR6 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IKWH30N65WR5 IGBT TRENCH IKWH30N65WR5XKSA1 Symbol Micros: TIKWH30N65WR5 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IKWH40N65WR6 IGBT TRENCH IKWH40N65WR6XKSA1 Symbol Micros: TIKWH40N65WR6 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IKWH50N65WR6 IGBT TRENCH IKWH50N65WR6XKSA1 Symbol Micros: TIKWH50N65WR6 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IKWH60N65WR6 IGBT TRENCH IKWH60N65WR6XKSA1 Symbol Micros: TIKWH60N65WR6 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IKWH70N65WR6 IGBT TRENCH IKWH70N65WR6XKSA1 Symbol Micros: TIKWH70N65WR6 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
SKM100GB12T4 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 300A; 5,0~6,5V; 565nC; -40°C~175°C; Symbol Micros: TSKM100gb12t4 info karta katalogowa Dodaj do ulubionych
Rys.SKM100		1200V	20V	100A	300A		5,0V ~ 6,5V	565nC	Rys.SKM100		SEMIKRON	-40°C ~ 175°C
Rys.SKM100	Pozycja dostępna na zamówienie
IKW40N60DTPXKSA1 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Symbol Micros: TIKW40n60d info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO247
TO247	Pozycja dostępna na zamówienie
IKW40N60H3FKSA1 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Symbol Micros: TIKW40n60h info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO247
TO247	Pozycja dostępna na zamówienie
IKW50N60DTPXKSA1 Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Symbol Micros: TIKW50n60d info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO247
TO247	Pozycja dostępna na zamówienie
DDB6U104N16RRBPSA1 Infineon Technologies LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211 transistors - igbts - modules Symbol Micros: TDDB6U104N16RR info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IXTZ550N055T2 Trans MOSFET N-CH Si 55V 550A 6-Pin Case DE-475 Symbol Micros: TIXTZ550n055t2 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
DGTD65T15H2TF Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube Symbol Micros: TDGTD65T15H2TF Diodes info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
STGF19NC60KD Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Symbol Micros: TSTGF19nc60kd info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
STGD4M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Symbol Micros: TSTGD4m65df2 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 338W Symbol Micros: TBGH75N65ZF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N65ZF1		650V	20V	75A	300A	338W	4,2V ~ 5,8V	444nC	TO247-4	THT	BASiC SEMICONDUCTOR	-40°C ~ 150°C
Rys.TBGH75N65ZF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 1,2kV; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 568W Symbol Micros: TBGH75N120HF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N120HF1		1200V	20V	75A	200A	568W	4,2V ~ 5,8V	398nC	TO247-3	THT	BASiC SEMICONDUCTOR	-40°C ~ 150°C
Rys.TBGH75N120HF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W Symbol Micros: TBGH50N65ZF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH50N65ZF1		650V	20V	50A	200A	297W	4,2V ~ 5,8V	308nC	TO247-4	THT	BASiC SEMICONDUCTOR	-40°C ~ 150°C
Rys.TBGH50N65ZF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W Symbol Micros: TBGH50N65HS1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH50N65HS1		650V	20V	50A	200A	297W	4,2V ~ 5,8V	308nC	TO247-3	THT	BASiC SEMICONDUCTOR	-40°C ~ 150°C
Rys.TBGH50N65HS1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W Symbol Micros: TBGH50N65HF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH50N65HF1		650V	20V	50A	200A	297W	4,2V ~ 5,8V	308nC	TO247-3	THT	BASiC SEMICONDUCTOR	-40°C ~ 150°C
Rys.TBGH50N65HF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W Symbol Micros: TBGH75N65HF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N65HF1		650V	20V	75A	300A	405W	4,2V ~ 5,8V	444nC	TO247-4	THT	BASiC SEMICONDUCTOR	-40°C ~ 150°C
Rys.TBGH75N65HF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W Symbol Micros: TBGH75N65HS1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N65HS1		650V	20V	75A	300A	405W	4,2V ~ 5,8V	444nC	TO247-3	THT	BASiC SEMICONDUCTOR	-40°C ~ 150°C
Rys.TBGH75N65HS1	Pozycja dostępna na zamówienie