Tranzystory IGBT (wyszukane: 394)

1    5  6  7  8  9  10  11  12  13    14
Produkt Koszyk
Obudowa
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Ładunek bramki
Napięcie bramka-emiter
Producent
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalna moc rozpraszana
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
STGF20M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 32600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STGF20M65DF2 || STGF20M65DF2  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGF20M65DF2
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 350+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,5315
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
STGB40V60F Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB40V60F || STGB40V60F  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB40V60F
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnętrzny:
2099 szt.
Ilość szt. 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 5,2678
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
STGB30V60DF Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB30V60DF || STGB30V60DF  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB30V60DF
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 5,7973
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
STGB30H60DFB Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB30H60DFB || STGB30H60DFB  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB30H60DFB
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,2634
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
STGB19NC60HDT4 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB19NC60HDT4 || STGB19NC60HDT4  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB19NC60HDT4
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,2907
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
IKW08N120CS7 IGBT Trench Field Stop 1200 V 21 A 106 W Through Hole PG-TO247-3 IKW08N120CS7XKSA1
IKW08N120CS7 TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
FGH50T65UPD IGBT 650V 100A 340W
FGH50T65UPD TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 40A 170W TO263-3 TrenchStop -40+175°C
IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies TO263 (D2PAK)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NGTB25N120FL3WG Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
NGTB25N120FL3WG TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
GT50JR22(STA1,E,S) Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine;
GT50JR22(STA1,E,S) TO3PFM
  TO3PFM 600V 4,5V ~ 7,5V 25V Toshiba 50A 100A 230W THT -55°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IKQB200N75CP2AKSA1 Tranzystor IGBT ; 750V; 20V; 200A; 600A; 937W; 5V~6,5V; 797nC; -40°C~175°C;
IKQB200N75CP2AKSA1 TO247
  TO247 750V 5,0V ~ 6,5V 797nC 20V INFINEON 200A 600A 937W THT -40°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
MSG40T120FQC Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 568W; 4,5V~6,5V; 147,7nC; -55°C~175°C;
MSG40T120FQC TO247
  TO247 1200V 4,5V ~ 6,5V 147,7nC 20V Maspower 80A 160A 568W THT -55°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 50A 40-Pin Tray DF4-19MR20W3M1HF_B11
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
15T65 Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C; SL15T65FF; 15T65SD; MSG15T65FL;
15T65 TO220iso
  TO220iso 650V 4,5V ~ 6,5V 25nC 20V Maspower 30A 60A 48W THT -40°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BSM15GD120DN2E3224BOSA1 INFINEON Trans IGBT Module N-CH; IGBT Module Full Bridge 1200 V 25 A 145 W Chassis Mount Module OBSOLETE
BSM15GD120DN2E3224BOSA1 INFINEON Rys.BSM15GD120DN2E3224
  1200V 4,5V ~ 6,5V 20V INFINEON 25A 50A 145W THT -40°C ~ 125°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
FGD3245G2-F085C IGBT Modules 320 mJ, 450 V, N−Channel Ignition IGBT; 23A; 150W; 120Ohm; -55°C~175°C;
FGD3245G2-F085C DPAK-3
  DPAK-3 480V 1,3V ~ 2,2V 23nC 14V ON SEMICONDUCTOR 23A 150W SMD -55°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
DGC40F120M2 DONGHAI Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
DGC40F120M2 DONGHAI TO247
  TO247 1200V 4,5V ~ 6,5V 198nC 30V Donghai 80A 160A 388W THT -45°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
DF80R12W2H3F_B11 IGBT Modules IGBT HighSpeed 3 DF80R12W2H3FB11BPSA1
DF80R12W2H3F_B11  
  1200V 5,0V ~ 6,5V 20V INFINEON 40A 80A -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IKW50N120CS7 IKW50N120CS7XKSA1
IKW50N120CS7 TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IKW40N65ET7 IKW40N65ET7XKSA1
IKW40N65ET7 TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
FGH40T120SMD-F155 Trans IGBT Chip N-CH; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~75°C;
FGH40T120SMD-F155 TO247
  TO247 1200V 4,9V ~ 7,5V 370nC 25V ON SEMICONDUCTOR 80A 160A 555W THT -55°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
AOT20B65M1 Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
AOT20B65M1  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
FGA40N65SMD IGBT 650V 80A 349W
FGA40N65SMD TO 3P
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
STGW50H65DFB2-4 IGBT, 650V, 86A, TO-247 Tranzystory IGBT pojedyncze
STGW50H65DFB2-4 TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
HGTG20N60A4D Trans IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
HGTG20N60A4D TO247
  TO247 600V 4,5V ~ 7,0V 210nC 20V ON SEMICONDUCTOR 70A 280A 290W THT -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
HGTG20N60B3D Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 165W; 3,0V~6,0V; 135nC; -40°C~150°C;
HGTG20N60B3D TO247
  TO247 600V 3,0V ~ 6,0V 135nC 20V ON SEMICONDUCTOR 40A 160A 165W THT -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
HGTG30N60B3D Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 220A; 208W; 4,2V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C;
HGTG30N60B3D TO247
  TO247 600V 4,2V ~ 6,0V 250nC 20V ON SEMICONDUCTOR 60A 220A 208W THT -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
HGTP12N60A4D Trans IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
HGTP12N60A4D TO220
  TO220 600V 5,6V 120nC 20V ON SEMICONDUCTOR 54A 96A 167W THT -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGD06N60TXT;
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TO252/3 (DPAK)
  TO252/3 (DPAK) 600V 4,1V ~ 5,7V 42nC 20V Infineon Technologies 12A 18A 88W SMD -40°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IGP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 74A 255W PG-TO220-3 TrenchStop -40+175°C
IGP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies TO220
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
1    5  6  7  8  9  10  11  12  13    14