Tranzystory IGBT (wyszukane: 394)
| Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGW75H65DFB2-4
Tranzystor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4; Transistors - IGBTs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW75H65DFB2-4 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
3380 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGWA40H65DFB2
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40 TO247-3 Transistors - IGBTs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA40H65DFB2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA40H65DFB2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
180 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
IXXH110N65C4
Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
|
||||||||||||||||
|
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXXH110N65C4 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
21 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
IXXH30N60B3D1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
|
||||||||||||||||
|
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXXH30N60B3D1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
315 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
WG50N65DHWQ
IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247; Trans IGBT Chip N-CH 650V 91A 278mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
|
Producent:
WEEN Symbol Producenta: WG50N65DHWQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
20400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
IXXH60N65B4H1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
|
||||||||||||||||
|
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXXH60N65B4H1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
270 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXXH60N65B4H1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
30 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: FS35R12W1T4BOMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
4 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: FS35R12W1T4BOMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
39 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 24 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGW60V60F STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW60V60F Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
210 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW60V60F Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
395 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGWA25M120DF3 STMicroelectronics
Tranzystor IGBT Chip N-CH 1,2kV; 25A; 375W; TO247-3;
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA25M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA25M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGWA75H65DFB2
Tranzystor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3; Transistors - IGBTs - Single; STGW75H65DFB2-4;
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA75H65DFB2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
407 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGFW40V60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGFW40V60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
510 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGFW40V60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
871 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGF6M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 24200mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF6M65DF2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGF30M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF30M65DF2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGF20M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 32600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF20M65DF2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
40500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF20M65DF2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGF20H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 37000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF20H60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGF19NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF19NC60KD Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
1460 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGB30V60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB30V60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
83000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGB20M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB20M65DF2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGB19NC60HDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB19NC60HDT4 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB19NC60HDT4 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
STGB10H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10H60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||
|
IKW08N120CS7
IGBT Trench Field Stop 1200 V 21 A 106 W Through Hole PG-TO247-3 IKW08N120CS7XKSA1
|
||||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
IKQB200N75CP2AKSA1
Trans IGBTChip N-CH 750V 200A 937W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
15T65
Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C; SL15T65FF; 15T65SD; MSG15T65FL;
|
||||||||||||||||
| 650V | 20V | 30A | 60A | 48W | 4,5V ~ 6,5V | 25nC | TO220iso | THT | Maspower | -40°C ~ 175°C | ||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
FGH50T65SQD-F155
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
BSM15GD120DN2E3224BOSA1 INFINEON
Trans IGBT Module N-CH; IGBT Module Full Bridge 1200 V 25 A 145 W Chassis Mount Module OBSOLETE
|
||||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
IKWH100N65EH
Tranzystor IGBT; 160; 650V; 20V; 199nC; 140A; 427W; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||
| 650V | 20V | 140A | 400A | 427W | 199nC | TO247 | THT | INFINEON | -40°C ~ 175°C | |||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
IKWH40N65EH7
Tranzystor IGBT; 650V; 20V; 81nC; 80A; 208W; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||
| 650V | 20V | 80A | 160A | 208W | 81nC | TO247 | THT | INFINEON | -40°C ~ 175°C | |||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
IKWH75N65EH7
Tranzystor IGBT; 650V; 20V; 150nC; 80A; 341W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
| 650V | 20V | 80A | 300A | 341W | 150nC | TO247 | THT | INFINEON | -55°C ~ 150°C | |||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
DHG20T65D DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
| 650V | 20V | 40A | 60A | 96W | 4,5V ~ 7,0V | 59nC | TO220iso | THT | Donghai | -55°C ~ 150°C | ||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
FGY75T120SQDN
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
|
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||