Tranzystory IGBT (wyszukane: 390)
| Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AGW40N170TMA1 TO247
Tranzystor IGBT ; 1700V; 20V; 80A; 120A; 600W; 4,9V~6,5V; 450nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1700V | 20V | 80A | 120A | 600W | 4,9V ~ 6,5V | 450nC | TO247 | THT | LUXIN-SEMI | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Podobny do: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 80A | 160A | 375W | 4,2V ~ 5,8V | 239nC | TO247 | THT | LUXIN-SEMI | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SGT40N60FD2PN TO-3P SILAN
IGBT TRANSISTOR; TO-3P-3 Single IGBTs ROHS
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
SILAN Symbol Producenta: SGT40N60FD2PN RoHS Obudowa dokładna: TO-3P |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
SGT40N60FD2P7 TO-247-3L SILAN
IGBT TRANSISTOR; TO-247-3L Single IGBTs ROHS
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
SILAN Symbol Producenta: SGT40N60FD2P7 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MSG30T65FS
IGBT 30A,650V,TO-220F
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MSG30T65FS RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MSG40T65HHC0
IGBT 40A,650V,TO-247
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MSG40T65HHC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MSG60T65HHC0
IGBT 60A,650V,TO-247
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MSG60T65HHC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MSG75T65FQC
IGBT 75A,650V,TO-247
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MSG75T65FQC RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MSG40T120FQC
IGBT 40A,1200V,TO-247
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MSG40T120FQC RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MSG50T120FQW
IGBT 50A,1200V,TO-264
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MSG50T120FQW RoHS Obudowa dokładna: TO264 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
15T65SD JUXING
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 30A | 60A | 37,5W | 4,5V ~ 6,5V | 21,1nC | TO220iso | THT | JUXING | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
BGN40Q120SD BYD
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0V~7,0V; 142nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 80A | 160A | 428W | 5,0V ~ 7,0V | 142nC | TO247 | THT | BYD | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
DGC40F120M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 30V | 80A | 160A | 388W | 4,5V ~ 6,5V | 198nC | TO247 | THT | Donghai | -45°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
DGC40H65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 80A; 160A; 280W; 5,0V~7,0V; 84nC; -45°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
120 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/120 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 30V | 80A | 160A | 280W | 5,0V ~ 7,0V | 84nC | TO247 | THT | Donghai | -45°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
DGC60F65M DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 120A; 180A; 428W; 5,0V~7,0V; 106nC; -45°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 30V | 120A | 180A | 428W | 5,0V ~ 7,0V | 106nC | TO247 | THT | Donghai | -45°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
DGC75F65M DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 440W; 4,5V~7,0V; 187nC; -45°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 30V | 150A | 300A | 440W | 4,5V ~ 7,0V | 187nC | TO247 | THT | Donghai | -45°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
DGCP120F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 160A; 360A; 500W; 4,0V~6,5V; 300nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 30V | 160A | 360A | 500W | 4,0V ~ 6,5V | 300nC | TO247Plus-3L | THT | Donghai | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
DGF30F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 30V | 60A | 180A | 60W | 5,0V ~ 7,0V | 48nC | TO220iso | THT | Donghai | -45°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
DHG25T120 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 278W; 4,5V~7,0V; 141nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 50A | 75A | 278W | 4,5V ~ 7,0V | 141nC | TO247 | THT | Donghai | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
DGN30F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 30V | 60A | 180A | 230W | 5,0V ~ 7,0V | 48nC | TO 3PN | THT | Donghai | -45°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SL15T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 30V | 30A | 40A | 125W | 4,5V ~ 6,5V | 70nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
SL15T65FF SLKOR
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 30A | 60A | 48W | 4,5V ~ 6,5V | 61nC | TO220iso | THT | SLKOR | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SL20T65F SLKOR
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 40A; 80A; 35W; 4,5V~6,5V; 43,9nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 40A | 80A | 35W | 4,5V ~ 6,5V | 43,9nC | TO220iso | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SL20T65FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 40A; 80A; 162W; 4,5V~6,5V; 43,9nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 40A | 80A | 162W | 4,5V ~ 6,5V | 43,9nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SL25T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 60A; 350W; 4,5V~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 50A | 60A | 350W | 4,5V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
SL40T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 718W; 4,5V~6,5V; 165nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 80A | 160A | 718W | 4,5V ~ 6,5V | 165nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SL40T65FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,0V~6,0V; 219nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 80A | 160A | 375W | 4,0V ~ 6,0V | 219nC | TO247 | THT | SLKOR | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SL50T120FZ SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 100A | 200A | 535W | 4,5V ~ 6,5V | 311nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SL75T120FZ SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 115A; 230A; 625W; 4,5V~6,5V; 270nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 30V | 115A | 230A | 625W | 4,5V ~ 6,5V | 270nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
IM393M6FXKLA1
IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C; IM393M6FXKLA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 5V | 10A | 15A | 20W | 13,5V ~ 16,5V | SIP22 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 125°C | |||||||||||||
Tranzystory IGBT
W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.
Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?
Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania.
Mocne i słabe strony tranzystora IGBT
Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą.
IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?
W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:
- napięciem kolektor-emiter,
- napięciem bramka-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
- maksymalną mocą rozpraszania,
- napięciem przewodzenia,
- ładunkiem bramki,
- obudową,
- marką,
- zakresem temperatur, w których mogą pracować.
Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję